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由于单层石墨烯无本征禁带宽度,传统的石墨烯MOSFET的开关比非常小,且容易受基底散射影响导致载流子迁移率急剧下降,严重影响器件......
介绍了一种晶片条件下FET器件(包括MOSFET,GaAsMESFET和HEMT)寄生元件的剥离技术,并利用此技术获取了器件的本征[Y]参数。......
准一维纳米材料,如纳米管、纳米线、纳米带等,以其特殊的物理和化学性质,以及在纳米器件、光电子器件、微传感器等多方面潜在的应......