用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线,其平均长度为20μm,平均直径100 nm.将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极......

采用sol-gel方法制备了PZT铁电厚膜,构成了SiO2/Si/SiO2/Ti/Pt/PZT/Ti/Pt形式的拾振器敏感元结构.基于半导体光刻技术,通过干法刻......

对8×8元阵列锆钛酸铅(PZT)厚膜声纳换能器芯片进行了设计,对PZT铁电厚膜的微图形的刻蚀工艺及其反应机理进行了深入的研究.最......

采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3（BST）薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/......

对硅基锆钛酸铅（PZT）压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂......

石墨烯这种六角蜂窝状结构的二维材料,因其高速的电子迁移率、高度的透光性、超常的比表面积以及半整数的量子霍尔效应等一系列性......