锆钛酸铅(PZT)相关论文
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采用有限元软件ABAQUS6.14对压电多层膜悬臂梁进行了仿真模拟,在自由端受集中载荷下,预测薄膜结构对悬臂梁曲率半径和自由端及中心......
采用准分子脉冲激光沉积 (PL D)工艺 ,制备了 Au/ PZT/ p- Si结构铁电存储二极管 .在氧气氛 35 0℃低温沉积、原位 5 30℃快速退火......
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,采用改进的Sol-Gel工......
用溶胶-凝胶法制备出锆钛酸铅（PZT）粉体,与流延胶以一定配比混合后流延成型,坯膜于1 100℃高温烧结2h得到PZT厚膜。利用XRD和SEM研究......
采用固相反应法制备了一系列Pb（Zr0．52Ti0.48）O3压电陶瓷，研究了过量PbO对PZT陶瓷相成分的影响．用X射线衍射对陶瓷的相结构进行了分析，采......
对8×8元阵列锆钛酸铅(PZT)厚膜声纳换能器芯片进行了设计,对PZT铁电厚膜的微图形的刻蚀工艺及其反应机理进行了深入的研究.最......
利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3（LNO）薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜。试验分析了La......
采用溶胶-凝胶法在Si／Si3N4／Poly-Si／Ti／Pt基片上制备PZT压电薄膜，为了选择更适合微电子机械系统（MEMS）器件的压电薄膜，采用一般热处理和快......
用传统造孔剂燃烧工艺（BURPS）法，以碳化淀粉造粒后为造孔剂，制备了不同孔率的锆钛酸铅（PZT）陶瓷，研究了孔隙率随造孔剂量变化规律，并对其介......
实验选取一种性能较好的二元系锆钛酸铅（PZT）压电陶瓷配方，通过测试PZT陶瓷样品在强场下的介电性能表明，随着外加电场强度的增大，样品介......
用x-射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）等实验测试手段，研究了KOH浓度c（KOH）从1mol／L变化到7mol／L时，对锆钛......
研究了锆钛酸铅（PZT）薄膜的深槽反应离子刻蚀（DRIE）技术。首先,对比了3种工艺气氛条件下（SF6/Ar、CF4/Ar和CHF3/Ar）刻蚀PZT的效果。实验......
采用固相法制备了高性能的Pb（Zr0.54Ti0.46）O3压电陶瓷靶材。通过调整Sr掺杂比例,获得高性能的压电陶瓷配方,以高性能锆钛酸铅（PZT）粉......
结合溶胶-凝胶和水热法的优点,采用改进的溶胶-水热复合法在较低温下制备出纯相PZT纳米粉体,并对粉体的烧结性能进行了研究,分别讨......
设计了巨磁致伸缩材料（Terfenol-D）／锆钛酸铅（PZT）／巨磁致伸缩材料（Terfenol-D）三层磁电材料L-T模型传感器，利用所设计的磁电传感器，可以精密......
选择了具有优良压电性能的二元系固溶体PbZr0.52Ti0.48O3（PZT）为主要研究对象,以拉曼光谱为研究手段,对球磨法制备的一系列样品进行......
对硅基锆钛酸铅（PZT）压电薄膜微开关进行了结构和版图设计，根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点，获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结......
在铁电陶瓷锆钛酸铅（PZT）表面沉积不连续的NiTi形状记忆合金（SMA）薄膜，运用XRD、SEM和动态弹性模量测试仪研究了其显微组织及阻尼特性。......
采用了溶胶-凝胶技术在不锈钢基体上制备了厚为10μm、结构致密的锆钛酸铅（PZT）厚膜。研究了不同退火条件对厚膜结晶状况的影响,X射......
采用直接液体榆运-金属有机化合物化学气相沉积技术（DLI-MOCVD）制备Pb（ZrxTi1-x）O3薄膜（PZT薄膜），并进行了相关研究，通过调节MOCVD中影响PZ......
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介绍了压电谐振式微悬臂梁的设计、制作方法和作为质量传感器的工作原理,及其在空气质量检测上的应用.实验结果验证了设计方法正确......
本文探讨了钛酸锶钡(BST)、铌酸锶钡(SBN)和锆钛酸铅(PZT)三种重要铁电材料的薄膜生长和器件制备工作。对于钛酸锶钡(BST)材料,我......
本文借助B位先驱体法在750℃合成了亚稳态钙钛矿型PZT粉料,在烧结过程中,过量ZrO2随着温度的升高逐渐析出使整个体系趋向热力学稳......
介绍了一种新型的基于高性能锆钛酸铅(PZT)厚膜(压电常数d31约为-280 pm/V)的微机电系统(MEMS)压电超声换能器。基于有限元法,对该......
采用浇注法制备出了并联式2-2型PZT-环氧树脂复合压电材料,对其相关性能进行研究,结果表明,浇铸发生固化反应的最佳配比工艺为环氧......
