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介绍了高功率980 nm 脊型波导半导体激光器的设计及制造。为了减少腔面处的光功率密度，设计了宽波导结构。利用常规工艺获得了最大5......
为提高940nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaI......
提出了一种新的半导体激光器增透膜——A1N膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输......
采用等离子体辅助电子束蒸发方法在808 nm大功率量子阱半导体激光器腔面设计镀制了HfO2/SiO2系前后腔面膜.用直接测量法测量并比较......
提出了一种新的半导体激光器增透膜———AlN膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大......
采用腔面电流非注入技术,提高了808nm半导体激光器灾变性光学损伤（COD）阈值。通过腐蚀GaAs高掺杂层的方法,在半导体激光器腔面附近形......
大功率半导体激光器的腔面退化是影响其寿命和可靠性的重要因素，长期以来一直是人们关注和研究的重点。本文利用离子铣结合腔面钝化......
