离子铣相关论文
测定了一组乙烯基聚合物抗蚀剂和光致抗蚀剂的等离子体和活性离子蚀刻速率,以及离子铣蚀刻速率;并发现在合成中改变乙烯侧基取代基......
利用电化学腐蚀方法制备了扫描隧道显微镜的针尖,同时对影响针尖和尖度的各种因素进行了实验研究,并分析其电化学原理。
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几项关键加工工艺的发展,正在推动混成非致冷红外探测器现有制备技术向前发展。按照一份为期四年的可生产性行程图,离子铣网状结构......
研制了一款基于AlGaInAs/AlGaAs应变补偿量子阱大光腔结构的808 nm半导体激光器。采用金属有机物化学气相沉积方法外延生长,在超高......
叙述2μm硅栅深耗尽C-M0S/SOS工艺及其特性,制造工艺全部是干法工艺(离子铣和等离子腐蚀)。离子注入形成源、漏,在每次光刻均为2μ......
为了在LED和光纤之间获得最大耦合,通常要用某种形式的透镜系统,最好的结构是利用半导体器件本身形成的集成透镜。以前曾用腐蚀或......
日本电电公司武藏野电气通信研究所研制出高速低功耗正常截止型 GaAsMESFET 逻辑。其主要工艺特征是:1.用阳极氧化工艺精确控制外......
本文叙述了一种能制造X波段硅双极晶体管的先进的双极晶体管工艺的两年计划。该计划最后以四单胞晶体管在10千兆赫下具有4.5分贝增......
采用发射区掺杂很低的液相外延作出了GaAlAs-GaAs异质结双极晶体管(HBT)。研究了一种扩散外延结构。I_c=10mA时,测出的转移频率接......
用投影光刻制造亚微米栅砷化镓金属-半导体场效应晶体管,获得了在4千兆赫下噪声0.8分贝、6千兆赫下噪声1.3分贝、相关的增益至少9......
六十年代初,人们开拓了一门崭新技术——微细加工技术。微细加工是以加工的分辨率达到微未级为其特征的。微细加工包罗了电工学、......
随着MOS工艺向超大规模集成电路方向的迅速发展,VLSI的集成度七十年代约每年提高1倍,八十年代预测约2年提高1倍。 在此情况下,原......
美国某公司试制成带宽为100千兆赫的平面型砷化镓(GaAs)肖特基势垒光电二极管.基片是平面的半绝缘性GaAs,在它上面用液相外延法形......
离子束溅射刻蚀、离子刻蚀、离子铣以及离子磨削等实属同一概念。离子束能刻蚀任何材料并能加工精细的几何图形。其刻蚀精度仅取......
日本NTT茨城电气通信研究所通过采用硅正型抗蚀剂(SNR)两层抗蚀剂技术形成了线宽为30～40nm的超微细图形。这种技术以SNR为上层抗蚀......
我们描述了异质结二维电子气 FET 单级单片电路放大器的制作。同样的电路结构已经在传统的 GaAsFET 片子上实现,因此可以对两种材......
本文研究了TGS晶体在丙铜和酒精—水溶液中的溶解度和刻蚀速率(b面)。有了刻蚀知识和光刻技术,制作选择刻蚀结构的热释电探测器是......
如果低电阻率的硅钛栅被用于按比例缩小的MOS器件,硅化钛的各向异性腐蚀是必要的。CCl_4、CF_4等离子体以及离子铣都可用来腐蚀硅......
自从谬勒等发现新的高T_c材料以来,高T_c超导材料的研究在世界范围内掀起了一股热潮。特别是能在液氮温度下超导的钇钡铜氧化物超......
已完成了聚焦离子束的研制,其束径可在φ1cm～φ4cm变化,在焦点束径范围中,束流平均密度大于7mA/cm~2。进行了石英(AT切向)和硬质合......
我们研究了使用CF_4和C_2F_6等气体的反应离子束刻蚀半导体和绝缘材料,并与Ar离子铣的刻蚀速率进行了比较。在联邦科学公司制造的......
本文介绍了可调谐双波导(TTG)DFB激光器的工作原理和制作工艺。TTG-DFB激光器是一种新型单频可调谐激光器,它只需单一的控制电流就......
大功率半导体激光器的腔面退化是影响其寿命和可靠性的重要因素，长期以来一直是人们关注和研究的重点。本文利用离子铣结合腔面钝化......
针对980 nm大功率半导体激光器腔面离子铣氮钝化处理工艺进行了研究,发现腔面离子铣氮钝化可以提高激光器的输出特性及COD功率,器......
