热壁LPCVD相关论文
本文主要介绍多晶硅薄膜的淀积方法。对热壁ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜的表面形貌以及掺磷后的薄膜电阻进行分析。其次简要叙述了多晶硅薄膜在硅ＣＣＤ多......
论述了热壁低压化学汽相淀积制备多晶硅薄膜的淀积变量，是影响膜层质量的因素。其次简述了热壁ＬＰＣＶＤ薄膜在硅ＣＣＤ多路传；输器和硅ＣＣＤ多路开关组件......
对就热壁ＬＰＣＶＤ多晶硅的基本原理、典型淀积条件、掺杂、均匀性引起多晶硅膜层表面“发乌”、“发雾”的原因和提高多晶硅膜质量的工艺措......
论述了热壁低压化学汽相沉积制备氮化硅薄膜的工艺过程。对氮化硅薄膜进行测试分析，用它作介质膜，钝化膜，并作出了多种性能良好的光电......
采用热壁低压化学气相沉积（LPCVD）技术,在Si（100）衬底上成功制备出了具有化学计量的氢化非晶碳化硅（a-Si1-xCx∶H）薄膜,并用傅里叶变换红......
在热壁LPCVD系统中利用间隔生长法在6H-SiC衬底上淀积Si薄膜,采用XRD、SEM、激光共聚焦显微镜和拉曼光谱对Si薄膜的表面形貌和结构......
文章就热壁ＬＰＣＶＤ设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析，提出了一些解决办法，并就热壁ＬＰＣＶＤ备设出现的故障及设备的维护谈了自己的一点......
