IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种利用MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)驱动BJT(Bipola......

绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)具有开关频率高,导通压降小,驱动电路简单等优势,目前已成为中高压功率......

提出了一种具有三明治集电极结构的半超结RC-IGBT(SSS-RC-IGBT),该结构通过在N+buffer层和P+/N+集电区之间引入高阻N-layer,增大了......

电导调制效应的存在使得IGBT器件具有非常低的导通压降和导通损耗,但这也使得其关断损耗较大,因此导通压降和关断损耗之间的矛盾关......