反向恢复相关论文
功率MOSFET由于可以实现高速的开关,有着较高的输入阻抗,并且易于被驱动,在功率器件中占有着重要的地位。但是功率MOSFET器件的击......
屏蔽栅场效应管SGT-MOSFET（Shield-gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）,作为新型功率开关MOSFET,通过在槽栅......
近些年来,脉冲功率技术被广泛应用在环保、国防、高新技术研究等多个领域中。脉冲电源是脉冲功率装置中的重要组成部分,为此本文对......
本文提供了诸如结温、正向电流、正向电流下降率即换向di/dt对大功率快速二极管反向恢复特性影响的试验和仿真结果。用以描述二极......
随着半导体行业在今世社会的迅猛发展,传统硅器件受到其材料本身的限制,已在一定程度上难以满足电力电子领域中高频率、大功率以及......
学位
超结（Super junction）MOSFET因其导通电阻低,开关速度快,特别适合应用在全桥和半桥电路中,在直流充电桩和大功率电源领域应用广泛。......
随着电力电子技术的快速发展,以碳化硅（SiC）为材料的第三代宽禁带半导体大功率电力电子器件迅猛发展。SiC以其卓越的机械、化学、物......
给出了快速二极管软度Ｋ的新定义；推导出快速二极管反向过电压与软度Ｋ的关系，经试验证实了软度Ｋ与反向过电压的对应关系。
The new defi......
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有......
测试二极管的反向恢复特性一般都需要复杂的测试设备。必须能够建立正向导通条件、正向闭锁状态、及两者间的过渡。还需要有一
Th......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在......
介绍了基于数学模拟方法的IGBT损耗计算模型以及计算IGBT结温所采用的等效热路模型,在此基础上提出了一种连续工作损耗和瞬时结温......
新能源汽车电池输出的直流电通过IGBT进行逆变,将直流电转换为交流电驱动马达工作,每颗IGBT均需搭配一颗快恢复二极管用作续流。通......
功率半导体器件在电能转换中起着至关重要的作用,特别是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),它被应用在许多领域,是不可或缺......
采用同步整流技术的Buck开关电源的应用已越来越广泛,随着其输出电流的增大,抑制Buck电路同步整流管漏极尖峰成为提高电源效率和性......
为了从微观物理角度阐释大功率晶闸管反向恢复过程的内在机理,基于载流子运输方程和物理模型,结合晶闸管结构参数及边界初始条件,......
本文对功率电路中传统使用的P-i-n整流器及肖特基势垒整流器、同步整流器、结势垒控制的肖特基整流器、砷化锭肖特基整流器等新型......
针对风电变流器等应用场景,随着功率等级的不断提升,硅PiN二极管的并联使用问题日益突出。然而,并联硅PiN二极管器件的静态参数具......
功率晶闸管是微波直流输电技术中的主要应用元件,其具有较为关键的作用,如果产生了问题,将会严重影响相关设备的正常运行,造成功能......
在直流电源老化测试实验中,能馈式电子负载不仅能够实现负载连续调节,数字化操作、监控等传统电阻负载所不具备的功能,还能实现能......
随着能源、环保等问题的日益突出,采用氢能源作为燃料的燃料电池越来越受到人们的重视。燃料电池高效、环境友好,是一种绿色能源,......
随着高频功率二极管在电力电子装置的应用日益广泛，其由于PN结在导通变成截止状态过程中的反向恢复引起的各种负面现象也日益显著，其......
为了探究脉冲大电流工况下,晶闸管的反向恢复特性并建立能够准确反映晶闸管反向恢复过程的数学模型,首先搭建试验回路,依次探究了......
输出整流二极管反向恢复带来电压尖峰和电磁干扰（EMI）;全桥（FB）移相（PS）零电压开关（ZVS）变换器滞后臂ZVS范围太窄、次级占空比丢失严重。此......
为了提高开关变换器的效率和增强性能，提出了一种新的谐振直流环节软开关电压源逆变器，通过在传统硬开关逆变器的直流环节添加辅助谐......
为了掌握直流输电换流阀现场检测关键技术，搭建了晶闸管反向恢复特性实验电路，实验研究了正向电流幅值、换向电流变化率等参数对特高......
为减少电路损耗,降低电路的电磁干扰,提出了一种改进的功率因数校正升压(PFCBoost)变换器-电流交换式PFCBoost变换器.它充分发挥Bo......
提出了一种新型的超势垒整流器（SBR）。对SBR结构势垒进行了理论分析，建立了该器件正向压降的解析式，并设计了该器件的工艺流程。仿真结......
以MUR8100PIN二极管为对象,研究了PIN二极管模型参数抽取的试验方法和试验手段。在小电压等级下,利用试验抽取的二极管模型参数建......
设计了一种可实现最小电压有源箝位功能的新型PFC控制器，分析了相应的控制策略，并给出电路实现方法。由该控制器构成的PFC预调节器能......
讨论了Si C材料p^＋/p^-（n^-）/n^型二极管的集总电荷模型,利用Matlab编程数值仿真了p^-（n^-）型基区器件的反向恢复过程.分析了器件的反向......
科锐公司日前宣布推出全新系列封装型二极管,在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下,该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。科锐1,......
在逆变系统中,电路运行的可靠性是拓扑设计需要考虑的主要指标之一.在电路工作过程中,例如直通或者反向恢复过慢等问题会直接影响......
为了研究 VDMOS 器件体二极管在反向恢复过程中的失效机理，详细分析了600 V VD-MOS 器件体二极管的工作过程，采用 TCAD 模拟软件研究......
基于多级微反射镜的空间调制型傅里叶变换光谱仪在光场的横向空间同时采集所有光程差的干涉图信息,所以光场能量的空间分布特性影......
将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p^＋（SiGeC）-n^--n^＋异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的......
介绍了开关电源中常见的二极管反向恢复问题，并以Buck电路为例对解决这一问题常用的几种方案进行了比较。......
综述了电阻焊机的种类和特点,介绍了 ABB、EUPEC的焊接二极管,重点叙述了 FR D 焊接二极管及组件的创新发展过程.......
由于高质量自支撑氮化镓(GaN)衬底的出现,垂直型GaN-on-GaN器件获得了快速的发展并具有较高的功率等级和工作频率。本文讨论了垂直......
采用同步整流技术的Buck开关电源的应用已越来越广泛，随着其输出电流的增大，抑制Buck电路同步整流管漏极尖峰成为提高电源效率和性能......
给出一种可用于燃料电池发电系统的前级DC／DC变换器方案——推挽正激变换器。针对其次级整流二极管反向恢复引起的电压尖峰，引入了一......
功率因数校正电路的一个重要发展方向是进一步提高转换效率。Totem-Pole Boost功率因数校正电路由于省略了整流桥，理论上可获得更高......
随着电力电子系统对电压级别和电流能力要求的日益提高,以碳化硅为代表的第三代半导体正受到越来越多的关注。其中SiC MOSFET以其......
随着功率半导体技术的发展,超结VDMOS(Vertical Double-diffusion MOSFET)由于其导通电阻低、开关速度快、工作频率高等在开关电源......
＂高频？没问题!我们用谐振开关技术＂,这是当前电源转换器设计中经常听到的口头禅。零电压开关（Zero-Voltage Switching,ZVS）技术被视为由......
