研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明......

采用定电容电压法,测量了n型Al0.26Ga0.74As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态;并对瞬态数据进行数......

研究了ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的电子喇曼散射。根据晶格动力论。讨论了Ⅲ－Ⅴ合金半导体的ＤＸ中心物理起因。结果表明在ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中存在施主双稳态特性，在低温下，光感应的......