研究了ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的电子喇曼散射。根据晶格动力论。讨论了Ⅲ－Ⅴ合金半导体的ＤＸ中心物理起因。结果表明在ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中存在施主双稳态特性，在低温下，光感应的......