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考虑有效质量随空间位置的变化(SDEM效应),计算了垂直磁场作用下量子阱中电子的第一子带,与不考虑SDEM效应的结果做了比较,并对其......
该文利用了磁隧穿谱和磁光光谱的方法研究了一种共振隧穿结构在垂直磁场下的输运和光学性质.在这种共振隧穿结构中,电子从一端到另......
考虑有效质量随空间位置的变化，计算了垂直磁场作用下量子阱中电子的第一子带，与不考虑ＳＤＥＭ效应的结果做比较，并对其物理意义进行了分析。......
考虑了内建电场的影响，用变分法计算了GaN/GaAIN量子阱（QW）的电子子带和激子结合能。结果表明，对于阱宽较大情形，电子和空穴高度局域在Q......
