ZnO缓冲层相关论文
随着经济的快速发展而带来的能源紧缺,人们对楼宇的门窗玻璃要求不再局限于遮风挡雨的基本功能,人们希望建筑玻璃窗口能够更加节能......
ZnO是一种II–VI族的宽禁带半导体材料,通过Mg的掺杂可以使其禁带宽度在3.3 e V到7.8 e V之间连续可调,由于在日盲区紫外探测方面......
ZnO基透明导电氧化物薄膜作为一种有望取代ITO薄膜的光电信息材料,具有原材料丰富、价格低、无毒,且在氢等离子体中稳定性相对较好......
本文计入混晶组分变化及由压电极化和自发极化诱生的内建电场等因素对异质结势的影响，运用有限元差分法对Schr(o)dinger方程进行数......
半导体ZnO室温下的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，使其在紫外发光二极管、太阳能电池和激光器等方面有着广泛的应用前景，成为......
研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退......
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu3+掺杂的TiO2薄膜,研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu薄膜的光致发光......
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中850 ℃常压下通氨气进行氨化,......
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及......
利用射频磁控溅射法在Si（111）衬底上先溅射ZnO缓冲层，再溅射Ga2O3薄膜，然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜。分析......
利用射频磁控溅射法在Si衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,反应自组生成......
进入21世纪,可移动电子设备与动力汽车快速发展,对电池的性能、安全性等提出了越来越高的要求,其中电解质是影响电池性能的重要部......
学位
采用射频磁控溅射法，以纯度为99．9％，质量分数98％ZnO、2％Al2O3陶瓷靶为溅射靶材，在预先沉积了ZnO和Al2O3的玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO......
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，尤其是ZnSe和ZnTe及其合金具有宽带隙、直接带跃迁、激子束缚能大等优点而作为蓝和蓝绿发光、激光以及在该......
研制了在传统双层有机电致发光器件(OLED)ITO/NPB/AlQ/Al的阳极与空穴传输层间加入ZnO缓冲层的新型器件。研究了加入缓冲层后对OLE......
采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）和光致发光（PL）等分析方法表征......
用脉冲激光沉积法（PLD）先在600℃的Si（111）衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜。直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样......
由于厚的GaN膜可有效降低位错密度，因而生长厚膜GaN已成为近几年的研究热点。本文利用生长速度较快的氢化物气相外延（HydrideVapor P......
文章简述了铜铟硒(CIS)薄膜电池的性能特点和研究现状,重点提出了影响其规模化推广的几个基础问题,包括:射频溅射法直接制备CIS薄......
近年来,纤锌矿结构的氮化镓(GaN)材料,由于可以制备高亮度蓝色与绿色发光二级管和紫外光电二级管、激光二极管、紫外光电探测器和......
