内建电场相关论文
氮化碳作为具有层状结构的新型二维半导体材料,由于其自然资源丰富、生产成本低和稳定性高等优点,因此在光催化领域中已做了大量的......
光催化被广泛用于去除水中的难降解有机污染物,但是由于光生电子和空穴的复合率高,抑制了半导体光催化剂的催化活性。本研究通过简......
钙钛矿太阳能电池（perovskite solar cells, PSCs）作为一种高效率、低成本的光伏器件引起了国内外学者的广泛关注.电池内部的载流子......
基于半导体材料的光催化技术是一种绿色可持续的太阳能转化技术,可吸收转化太阳能并激发出具有强氧化还原能力的光生载流子从而实......
抗生素具有可以挑战微生物种群的特性,因此在临床医疗,水产及畜牧养殖业被广泛应用。当抗生素被排放到自然界后,其被视为影响环境......
稀土离子掺杂上转换纳米发光材料有着荧光波段丰富、光化学稳定性高、荧光寿命长等优势,近些年在生物医学、三维显示、上转换激光......
三元固溶体化合物半导体材料Cd1-xZnxTe（碲锌镉,可简写为Cd Zn Te或CZT）晶体材料具有平均原子序数高、禁带宽度大、电阻率高的优点,......
随着人类社会的飞速发展,环境问题日益突出,严重制约了人类社会的可持续发展。半导体光催化技术作为一种高级氧化技术在环境修复方......
低温固体氧化物燃料电池(LT-SOFC)极具商业化应用前景,而低温工作状态下高性能电解质材料仍是巨大的挑战.基于n型氧化锌和p型氧化......
热极化技术是目前打破石英玻璃宏观中心,诱导其产生二阶非线性系数（Second Order Nonlinearities,SON）最有效稳定的办法。紫外极化、......
物联网、人工智能、可穿戴设备等新兴领域的发展，对光电传感技术与原位发电技术提出了高灵敏度、高功率、轻质化等要求。针对不同应......
用多载流子模型分析了D型石英光纤的热极化过程及耗尽层的形成,分析了氢离子注入及钠离子耗尽层的形成。并把正负电荷的交界处类比......
氯酚类污染物是一类危害大、难处理的有机污染物。光催化技术作为一种新兴的高效降解有机污染物的技术,其成本低、无选择性、不会......
随着半导体制备技术的革新,半导体光电器件进入了一个量子化时代。以量子线、量子环、量子阱和量子点的低维半导体材料研制的光电......
非均相光催化技术是通过利用太阳能氧化有机污染物、还原重金属离子,且具有高效的杀菌消毒作用,在环境净化领域展现出巨大的应用前......
钛酸钡材料(BaTiO_3,BTO)沉积到Si基板之后形成的BTO/Si异质结构在MOS晶体管、太阳能电池等领域表现出了巨大的应用潜力。对于这种......
随着近几年科技的迅速发展,人们对紫外线的研究取得了重大突破。紫外探测技术被广泛应用生活中的医学、军事、生活等几个方面。首......
铁电材料因自身极化电场的存在而具有独特的光伏性能,在诸多领域应用广泛,特别是在光伏发电方面。从窄带隙铁电材料的制备方法、氧......
由于纤锌矿材料中存在着较强的内建电场,本文在考虑内建电场的影响下,运用有限差分法计算了基态和激发态的能量本征值和本征波函数......
ZnMgO/ZnO异质结作为一种新型的异质结半导体,凭借其在光电器件领域具有很大的应用潜力而得到广泛关注。近年来,ZnMgO/ZnO异质结中......
在有效质量近似下,通过变分理论计算了应变纤锌矿ZnSnN2/InxGa1-xN柱形量子点的带隙,进而利用细致平衡理论,研究了柱形量子点太阳......
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)一般应用于超宽带脉冲信号源,可以将纳秒级高压脉冲换向负载,这对于输出脉冲的上升前沿有很高的要求.文......
在有效质量近似下，用变分法研究了束缚在AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN圆柱型应变耦合量子点中的激子态以及GaN/AlxGa1-xN......
本文计入纤锌矿材料中强内建电场的影响，利用有限差分法和密度矩阵原理研究了纤锌矿GaN/InxGa1-xN/GaN球形核壳量子点中子带间和带......
在近几十年里，以宽带隙Ⅲ-Ⅴ族氮化物InxGa1-xN、GaN为基的半导体异质结由于其在光学、光电子学领域的广泛应用而受到了人们的普遍......
在近几十年来，由于宽带隙Ⅲ-Ⅴ族氮化物量子受限结构(量子阱、量子线、量子点)在光发射和光吸收等光电子应用器件方面有着广阔的应......
在最近几年里，宽禁带纤锌矿半导体ZnO由于其在蓝光和紫外区域光器件的应用越来越受到人们的关注，而且在短波光学装置方面已成为最佳......
近年来,对GaN、AlN和InN等闪锌矿和纤锌矿Ⅲ—Ⅴ族氮化物半导体低维材料的研究及其应用是半导体物理的前沿和热点之一,由于其具有......
研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果......
采用传输矩阵方法分析极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/AlxGa1-xN量子阱居里温度(TC)的调制作用.通过解薛定谔方程计算出在不同......
将GaAs光电阴极发射层掺杂浓度由体内到发射表面从高到低的进行指数掺杂,能在发射层形成一个恒定的内建电场,有利于光电子的逸出.......
利用变分原理及有效质量近似,研究In组份对InxGa1-xN/GaN量子阱光学性质的影响,结果表明,考虑内电场的影响后,电子与空穴复合率减......
考虑了内建电场的影响,用变分法计算了GaN/GaAlN量子阱(QW)的电子子带和激子结合能.结果表明,对于阱宽较大情形,电子和空穴高度局......
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采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有......
采用传输矩阵方法分析极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/A1xGa1-xN量子阱居里温度(Tc)的调制作用.通过解薛定谔方程计算出在不同......
科技的飞速发展和世界人口膨胀带来一系列迫在眉睫的环境问题和能源危机.光催化和光电催化为缓解这些问题提供了绿色、经济有效的......
目的研究超晶格中内建电场随着压力(压强)的变化规律.方法针对沿任意方向生长的立方晶系超晶格材料,讨论其内应变随着外加压力的变......
ZnO作为一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，激子结合能高达60meV，有较低的介电常数，以及好的光电和压电特性．和ZnSe、GaN和SiC......
介质内建电场的分析计算是卫星内带电效应分析和评估研究的重要环节。针对星用FR-4电路板计算了多种条件（电子能量、电路板厚度、电......
本文介绍我校“做电子器件”课程中内建电场知识模块的教学实践。通过内建电场的机理对比分析、求解方法总结以及应用拓展，让学生在......
利用有效质量近似和变分原理，考虑量子点的三维约束效应，对柱形量子点光学特性在有无内建电场时随量子点结构参数的变化进行研究．结果......
在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为-e的离子受主束缚激子（A~,X）的发光波......
在有效质量近似和变分原理的基础上，考虑量子点的三维约束效应，研究了GaN／A1GaN单量子点发光性质随量子点结构参数（量子点高度L和量子......
在有效质量和偶极矩近似下,考虑了由于压电极化和自发极化所引起的内建电场和量子点的三维约束效应,对纤锌矿对称AlxGa1-xN/GaN/Al......
考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应，基于密度矩阵与久期处理方法，理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光......
考虑自发与压电极化引起的内建电场,自由电子-空穴气屏蔽效应和外加电场,基于常微分数值计算,自洽求解电子与空穴的薛定谔方程和泊......
