光跃迁相关论文
硒化铟（InSe）材料是一种新兴二维半导体材料,其具有二维材料中最高的载流子迁率之一、可广泛调节的带隙值、良好的延展性等优良性质,......
研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制，对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃......
以碳酸氢铵为沉淀剂,采用共沉淀法制备了Er,Yb:(La Gd)2O3纳米粉体。经1 000℃煅烧2 h得到的粉体颗粒呈规则球形,平均粒径约为90 n......
综合考虑纳米硅结构薄膜的特殊性质,如量子限制效应、光学带隙和光跃迁振子强度对纳米硅粒径尺寸的依赖特性以及光吸收的温度依赖......
给出了ＺＢＬＡＮ中Ｔｍ~３＋离子的一些光谱参量（Ａｒ，β，τｍ，τｒ，△λ，σｒ）的实验和计算结果。报道了不同波长激发下Ｔｍ￣３＋离子的发射光谱（ＵＶ－ＮＩＲ）。荧光寿命和发射强度随掺杂Ｔｍ３＋浓......
考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ-Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数,......
用光荧光谱(PL)研究了GaNxAs1-x/G aAs单量子阱(SQW)的光跃迁性质和带阶.通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰 值位置与......
光吸收跃迁效应是半导体光电探测器的基本物理过程.文章主要介绍光吸收跃迁效应在窄禁带半导体红外探测器应用方面的研究进展.讨论......
本报告由三篇相互联系又相对独立的研究论文组成，它们研究的对象都属于低维半导体结构，是目前半导体物理领域最热门的研究课题之一，这......
