电离总剂量相关论文
以40nm-n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）为研究载体,探索了其总剂量效应与热载流子效应之间的耦合机制。分别对试验载体进......
在辐射环境下工作的电子系统，因受到辐射产生辐射效应，导致系统不能正常工作。不同器件生产工艺对不同辐射源敏感程度不同，模数转换器......
成功制作了5mm栅宽SiC MESFET，初步研究了γ电离总剂量辐照对器件直流特性的影响。γ电离总剂量辐照源为钻60γ射线，γ射线剂量率为3......
基于60Co-γ射线和10 keV X射线辐射源,系统地研究了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学......
分析了商用Flash存储器应用于航天器时应考虑的空间辐射效应和机理,并利用钴-60γ射线和重离子加速器对韩国三星公司生产的大容量F......
以N管阈值电压作为表征参数，对典型CMOS器件CC4007在稳态和脉冲吖辐射下的辐射效应与退火特性进行了实验研究，初步探讨了辐射损伤与......
CCD图像传感器作为高灵敏度光电集成部件，易受空间辐射的影响而发生性能退化和工作异常。开展其辐射效应评价研究并制定相应的防护......
建立了半导体空间电势与界面氧化物正电荷之间联系的解析表达式。从一维情况下精确的泊松方程及其边界条件出发,对N（P）型硅半导体中......
空间环境中辐射粒子的电离总剂量效应对卫星电子器件危害严重，需要采用合适的材料进行屏蔽防护．本文采用蒙特卡罗方法模拟材料对电子......
介绍了可重复使用航天器及其应用需求,分析了其在太空遭遇的空间辐射环境及效应,探讨了可重复使用航天器的空间辐射效应评价在元器......
瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种:闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起......
介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行......
为研究某国产0.5μmC MOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体）N阱工艺CMOS有源像素传感器（CMOS Active ......
空间辐射环境是影响航天电子设备长期稳定运行的重要因素，是当前航天电子技术研究的重点。针对目前国内主要的电离总剂量辐照试验标......
针对光电耦合器中使用的发光二极管（LED）进行了不同的方案设计,并对相关的光电耦合器进行了钴-60γ总剂量试验研究,比较了光电耦合器......
本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效......
讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ电离总剂量效应,试验结果表明偏置条件对FPGA芯片电离总剂量效应有......
为满足航天应用对大面阵高动态CMOS图像传感器的需求,对噪声优化与辐射加固等关键技术进行了深入研究。基于系统架构的增益级与双......
分析了电离总剂量加固的基本理论,提出了先进行P阱注入,高温退火形成要求的P阱结深,再进行高质量Si O2-Si3N4双层栅介质的生长工艺......
基于60Co-γ射线和10keV X射线辐射源,系统地研究了55nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学特......
随科技的发展,电子技术与辐射环境的关系愈来愈密切。大规模现场可编程集成电路FPGA在电子领域得到了日益广泛的应用,然而,这类器......
