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在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄......
本文首先对Si注入在SIMOX的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述.接头号,对纳米硅在绝缘埋层中的俘获电......
为利用SOI技术的优点，尝试用热导率更高的材料代替SiO2做为绝缘埋层，并在此基础上探索新型SOI器件结构，正是基于这种思想提出了相......
利用离子束增强沉积(IBED)技术成功地合成了大面积均匀AlN薄膜,分析表明薄膜中N/Al比为0.402:1,膜厚约250nm,表面电阻高于10Ω,绝......
随着智能功率集成电路对功率半导体器件可集成度的要求越来越高，传统体硅LIGBT (Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor) 已经......
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