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ZnO作为一种新型的II-VI族宽禁带半导体材料,广泛应用于压电传感器、变阻器、紫外发光器件以及透明电极等领域。在温室条件下,ZnO......
应用量子化学从头算方法研究了LaC4团簇.结果表明，在所提出的构型中，稀土位于碳环上最稳定.计算得到该团簇的绝热电子亲和势为81.05k......
利用多种方法研究NH3, NH3+, NH3- , NH4+体系的物理化学性质: 离解能, 电子亲合势, 离化能, 质子亲合势, 原子化能． 这些方法有Gau......
宽禁带Ⅱ族氧化物半导体材料体系,包括氧化铍(BeO)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)及合金,拥有较大的激子结合能(ZnO 60 meV, MgO 80 m......
本文综述了化学气相沉积(CVD)的发展和等离子体化学气相沉积(PCVD)的兴起。阐明了等离子体对化学气相沉积的增强作用及从70年代后......
自从1997年观察到氧化锌(ZnO)的室温受激发射现象,全球范围内对于ZnO半导体光电性质的研究热潮已经持续了近15年,而目前该热潮仍在......
