宽禁带半导体材料相关论文
β-Ga2O3是一种超宽禁带半导体材料,具有高击穿电压以及良好的巴利加优值,禁带宽度高达4.8eV。在大功率器件领域有良好的应用前景,......
在过去的60年中，硅(Silicon，Si)材料发展至今已十分成熟，其硅基半导体器件的性能也已达到材料本身的极限。碳化硅(Silicon Carbide，SiC......
ZnO作为一种新型的II-VI族宽禁带半导体材料,广泛应用于压电传感器、变阻器、紫外发光器件以及透明电极等领域。在温室条件下,ZnO......
氮化铝(AlN)作为第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，介电常数小，电子漂移速率较高，导热率高，化学性质稳定等许多优良的特性，是深紫......
氧化镓（β-Ga2O3）晶体被认为是一种新型的第四代宽禁带半导体材料[1],禁带宽度4.8-4.9eV,具有透明导电、与GaN晶格失配小、成本低等......
紫外探测器、传感器、短波长发光和激光二极管等光电子器件,在光通讯、光存储、显示等领域具有广泛的应用前景。而ZnO等宽禁带半导......
透明导电氧化物薄膜(TCO)，是一种宽禁带半导体材料，有n型和p型两种导电类型。N型TCO具有可见光透过率高、红外光反射率高、导电性好......
近年来,人们对宽禁带半导体材料表现出了极大的兴趣,一个重要的目的是寻找能产生短波长的半导体发光材料用以制造发光二极管或激光......
氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。相比传统的半导体材料，ZnO薄膜具有成本低廉，生长温度低，禁带宽度大(3．37eV)，激子复合能高(60m......
Ⅲ-V族氮化物GaN因其具有宽禁带半导体材料的典型优点而在光电器件、光探测器、新颖高性能微电子器件等领域得到广泛的应用,成为目......
第三代宽禁带半导体材料具有击穿场强大、热导率高、载流子迁移率高、抗辐射能力强等特性，在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光......
ZnO、SnO2作为优异的宽禁带半导体材料，在光电领域的应用前景非常广泛，已经成为近年来研究的热点之一。在本论文中，采用化学气相沉积......
ZnO是直接宽禁带半导体材料(禁带宽度为3.37 eV),在室温下有很高的激子束缚能(60 meV),外延生长温度低,抗辐射能力强,对衬底没有苛......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子激发能量为60meV。由于ZnO薄膜在诸多方面良好的发展潜力,近几......
宽禁带半导体材料亦被称为第三代半导体材料，与第一代和第二代半导体材料相比，具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小和导......
氧化锌(ZnO)是一种重要的N型宽禁带直接带隙半导体金属氧化物材料,具有六方纤锌矿结构,是使用最早的气敏材料。与其它金属氧化物(T......
近年来,由于宽禁带半导体材料在短波长发光器件、光探测器和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注,发展十分迅速,成为研究......
氮化镓(GaN)是III-V族第三代直接宽禁带半导体材料,具有稳定的物理化学性质和优越的光电性能,可以被用于制造紫外线探测器、高温高......
ZnO是一种具有纤锌矿结构的宽禁带半导体材料，在室温下其直接带隙宽度为3.3eV，激子束缚能为60meV，这比同是宽禁带材料的ZnSe（20mev）和Ga......
SiC半导体材料是第三代宽禁带半导体材料。与广泛应用于微波领域的半导体材料GaAs相比SiC材料具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱......
ZnO作为优异的宽禁带半导体材料，在光电领域的应用前景非常广泛，已经成为近年来研究的热点之一，但仅仅依靠ZnO本身的性质有时难以达到......
ZnO是一种新型的宽禁带半导体材料,禁带宽度为3.37 eV,室温下激子束缚能为60 meV,是制作短波长激光器以及紫外探测器的理想材料。......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅳ族直接带隙的宽禁带半导体材料，在室温下其禁带宽度为3.36eV，激予束缚能为60meV，具有很好的热稳定性和化学稳定性。199......
ZnO是一种宽禁带半导体材料，在紫外光电器件应用领域有很大潜力。我们利用具有特定温度梯度的CVD设备，以锌粉和氧气为原料，在Si(100)......
ZnO为直接带隙的宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,且激子束缚能高达60meV,比室温热离化能26meV大很多。因此,与ZnSe(22me......
宽禁带半导体材料氮化镓基异质结构由于其在光电子器件，特别是高清亮的蓝/绿发光二极管和激光二极管等方面的广泛应用，已经受到人们......
二氧化锡是一种n型宽禁带半导体材料。传统上，SnO2薄膜被广泛应用于透明导电薄膜、气敏传感器和太阳能电池等领域。近年来，越来越多......
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制......
事件： 继硅（S i）引导的第一代半导体和砷化镓（G a A s）引导的第二代半导体后，以碳化硅（S i C）、氮化镓（G a N）、氧化锌（Z n O）、金刚石、氮......
半导体材料与技术是现代信息技术发展的基石，以硅（Si）和砷化镓（GaAs）材料为代表第1代、第3代半导体技术，奠定了20世纪微电子和光电子工业......
ZnO是一种宽禁带半导体材料,在紫外及紫蓝光发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光电器件方面具有很大的潜在应用前景.近年来,纳米Z......
本文概要地介绍了第23届国际电力电子器件与功率集成电路会议（ISPSD11）上发表的一些主要研发成果和进展,诸如精细功率技术（包括集成功......
目前，GaN材料已经广泛的应用于蓝光和白光LED的大规模生产之中，其相关的工业技术已经成熟，2007年，市场共消费了约500万个2in晶片。除LE......
Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料，近年来一直受到广泛的关注。获得高质量稳定的P型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的......
碳化硅(SiC)材料是一种近十几年发展起来的第三代宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率,是制造高温、......
<正>近代半导体技术虽然仅有七十多年的历史,但已经彻底改变了社会的发展。追溯历史,不难发现半导体技术的蓬勃发展归因于半导体材......
本征ZnO是高阻材料，如何对其进行掺杂，提高其光电性能，制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。从晶体结构和能带结构、影响光电性......
利用专利对氧化锌宽禁带半导体材料技术的研发实力、技术领域、专利原创性和普遍性态势进行中外比较，根据主要竞争国家的综合竞争地......
相较于传统的硅器件,基于宽禁带半导体材料的功率电子器件在很多方面都体现出了优越的性能,符合功率变换器高效率、高工作温度及高......
以碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料,被称为第三代半导体材料。与传统材料相比,第三代半导体具备......
氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质,如其禁带宽度高达6.2 eV,同时具有高击穿场强、高饱和电子漂移速......
第三代半导体是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代半导体材料,它们拥有高频高效、耐高压、耐高温等特性,是支撑轨道交通、......
<正>一、碳化硅单晶特性以碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第3代半导体材料。与第1代、第2代半导体材......
