本征缺陷相关论文
氧化铟（In2O3）作为一种透明导电氧化物（TCO,Transparent conducting oxide）材料,由于其优异的透明导电性能和气敏性能,已经在太阳能电......
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料,室温下具有3.37 e V的禁带宽度。相比于第三代半导体材料Ga N,ZnO具有更大的自由激子结合能......
本文通过基于密度泛函理论第一性原理计算的“转移真实态模型”系统地研究了黑磷烯、黑砷烯和单层Ge S中所有本征点缺陷的基础性质......
由于石墨烯这种二维材料成功制备后其显示的巨大的新奇特性,人们发现了石墨烯在电磁器件中的潜在应用,同时也深入了对其它新型二维......
金刚石作为超宽禁带半导体材料被用于制备耐高温的高频大功率电子器件。此外,金刚石缺陷色心在量子信息处理、生物标记等领域具有......
磁性量子材料的缺陷工程及其局域量子态自旋的调控,有望构筑未来实用化的自旋量子器件,是目前凝聚态物理研究的热点领域之一。近几......
氧化镓（β-Ga2O3）因其本身良好的稳定性、超宽带隙（4.9 eV）和优良的物理化学特性广泛应用于光电器件、气敏传感器、能源催化、以及日盲......
β-Ga_2O_3作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,它具有4.9 e V的禁带宽度、8 MV/cm的高击穿电场以及优良的Baliga品质因数等出色的......
长余辉材料是一种在光激发停止后仍可持续发光的特殊光致发光材料,主要应用于安全照明和生物医学检测等领域。本文围绕本征缺陷在M......
硒化镉(CdSe)具有优良的光电性质,是应用最为广泛的半导体材料之一。本文采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝式法,在......
掺Yb石英光纤激光器因具有高的输出功率和光-光转换效率,高的可靠性和好的光束质量以及体积小质量轻等优点,已经被广泛应用于太空......
自工业革命以后,能源危机和环境污染已经成为人们日益面临的两大疑难问题。寻找一种利用清洁太阳能将CO2和H2O转变为碳氢化合物的......
中子辐照的水平生长出绝缘GaAs(样品A)、原生的和塑性形变的直法拉制半绝缘GaAs(样品C和D),都给出一组四线谱,但在不同的样品中呈......
信息时代的快速发展使得电子产品逐渐普及,激活了庞大的存储器产品市场,进而推动了半导体技术的不断革新,将半导体技术节点继续向......
ZnO是当今短波光电材料研究领域的热点，深入研究掺杂对光电子材料的稳定性和对光电性质的影响是十分必要的。本文利用第一性原理对Z......
酸锂晶体（LiNbO3简写为LN）是一种在诸多领域都得到重视的光折变材料，特别是在光学体全息存储领域有着卓越表现，因而很多人认为其可以作......
ZnO是直接宽禁带半导体,具有3.37eV的禁带宽度和60 meV的自由激子束缚能,有望实现高效激子发光,且其资源丰富、制作成本低、无毒、......
碳纳米管自发现以来,由于其独特的物理和化学性质,一直是化学、物理、材料科学和纳米技术等多个领域的研究热点。然而,在碳纳米管......
近几年，随着拓扑绝缘体的研究与发展，传统的Bi2Se3类和Hg1-xCdxTe类材料再次成为关注的焦点。实验中生长的材料都不可避免地引入缺陷......
该文第一章综述了光电子技术的发展概况、同质结激光器的工作原理,半导体材料中的受激吸收、自发发射和受激发射在光电子器件中的......
钒基合金具有良好的低活化特性和耐高温特性等优点,可应用于未来核聚变堆中第一壁结构材料。在高能辐照下,第一壁材料内部会产生大......
采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计......
在现有晶体势参数的基础上,利用GULP软件计算了铌酸锂(LiNbO3,LN)晶体的各类本征缺陷的缺陷生成能,并对LN晶体中可能存在的缺陷反......
在已有PbWO4晶体势参数的基础上,根据势参数的可转移性,用GULP软件拟合出PbMoO4(PMO)晶体的势参数.利用这些参数计算了PMO的晶格生......
ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有较高的激子结合能(60meV),室温下激子仍然存在。由于其结构特点及优异的光电性能,ZnO在微......
氧化锌（ZnO）作为一种新型的直接宽带隙半导体材料,室温下其禁带宽度约为3.37 eV,且具有较大的激子束缚能（60 meV）和极其优异的光电性能......
本征缺陷是半导体中最常见的缺陷,对本征缺陷在带电情况下的电学和磁学性质进行研究对深入理解半导体材料属性至关重要。本文基于......
基于第一性原理,研究Bi0与石英光纤本征缺陷(ODC(I)和POL)的相互作用机制,计算了反应路径、形成能、电子结构和光学吸收谱等。通过......
为阻止纳米管钛酸在转变为新型锐钛矿TiO2时管状结构的破坏，先在纳米管钛酸的内、外表面化学吸附一层物质，用以保护纳米管钛酸在脱水......
在105～300K温区内,测量了X射线激发下Ce3+:LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖(I-T),在237～300K温区内发光强度有特殊的增强结构,结合10......
在直流溅射法制备ZnO薄膜的过程中,通过合适选取溅射时氧氩的压力比,可以显著提高所得n-ZnO/p-Si异质结的光生短路电流,并且对该异......
摘要：采用第一性原理量子力学分子动力学方法，基于32个原子的超原胞模型，计算了ZnO中各种Li相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同......
本文运用晶格动力学软件GULP模拟计算了磷酸镓晶体的物理性质和本征点缺陷。利用弛豫拟合技术,根据晶体结构和部分物理性质数据拟......
本文基于原子间势、能量最小化以及量子力学方法,利用动力学软件GULP模拟计算了钙钛矿型立方结构LaCrO3晶体的本征缺陷形成能和氧......
期刊
通过射频磁控溅射法在以128°Y-X LiNbO3为压电衬底的声表面波（SAW）小波器件上沉积了一层ZnO薄膜作为紫外光敏感膜,利用网络分析......
采用化学水浴沉积法（CBD）在钠钙玻璃衬底上制备硫化镉（CdS）薄膜,研究不同硫酸镉（CdSO4）浓度下产生的本征缺陷对CdS薄膜光电学性质的影响......
在950°C和1 120 °C温度下,对非掺杂半绝缘LEC GaAs进行了不同As气压条件下的热处理,热处理的时间为2～14小时.发现不同As......
应用GULP软件计算了PbWO4（PWO）晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能，并对计算结果进行了讨论．结果表明，Zn离子进入PWO晶体中......
环境应力筛选不是万能的，不当的ESS方案可能导致潜在损伤和巨大质量成本。分析了产品缺陷特性，提出了本征缺陷与本征寿命的概念，研究......
硫化银作为典型的窄带隙半导体,由于其具备带隙小、无毒且具有细胞相容性等优点,而广泛应用于生物医学成像、近红外发射、高效太阳......
采用化学回流法制备了3种不同粒径的ZnO纳米颗粒,然后旋涂在ITO玻璃衬底上,形成样品a、b和c 3种ZnO纳米颗粒薄膜。场发射扫描电子......
LiTi2O4由于具有零应变特性、放电电压平稳和循环性能好等优点而有望作为锂离子电池的负极材料。研究与锂离子传导过程相关的各种......
期刊
石墨烯是一种有着广泛应用前景的新型材料,随着石墨烯研究的深入,其结构缺陷的特点及应用问题吸引了众多研究者的关注。石墨烯的结......
利用GULP软件计算了钼酸钙晶体中本征点缺陷的生成能和氧空位的迁移能，结果表明，钼酸钙晶体中主要存在的缺陷是氧空位和氧的夫伦克尔......
运用GULP软件并采用已有的势参数计算了理想YPO_4晶体的物理性质和本征缺陷,得到的晶体结构参数与实验结果基本吻合.根据计算得到......
伴随石墨烯的发现,二维材料开始走进了大众的视野。单层SnS2因其化学稳定性好、无毒、成本低和含量丰富等优点受到人们的广泛关注......
利用基于标准PBE0泛函的杂化密度泛函理论计算了Sr2MgSi2O7中本征缺陷、缺陷复合对及镧系离子的缺陷形成能、热力学转变能级以及光......
