离化能相关论文
ZnO作为一种新型的II-VI族宽禁带半导体材料,广泛应用于压电传感器、变阻器、紫外发光器件以及透明电极等领域。在温室条件下,ZnO......
宽禁带II族氧化物半导体材料体系,包括氧化铍(BeO)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)及合金,拥有较大的激子结合能(ZnO 60 meV,MgO 80 me......
利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长出未掺杂和氮(N)掺杂MgZnO合金薄膜。研究了Mg含量对MgZnO的电子结构。 N掺杂浓度和N受......
测量了用两种溶胶－凝胶方法参杂的Ｃ〈，６０〉在不同温度下的光致发光光谱，在温度３０￣３００Ｋ间测到了位于１．６９ｅｖ的发光峰随温度和蔼同，峰值向低能边有一较小偏......
用B3LYP/Lan1 2dz方法优化了La2 Cn(n =- 1 ,0 ,+1 )分子的结构 ,计算了La2 C的电子亲和势和离化能 ,并对计算结果进行了讨论。
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应用量子化学从头算方法研究了LaC4团簇.结果表明，在所提出的构型中，稀土位于碳环上最稳定.计算得到该团簇的绝热电子亲和势为81.05k......
利用从头算（abinitio-HD和密度泛函方法（DFT—B3LYP,B3PW91）计算了U原子和UO的第一离化能（IP）。U原子分别采用大核（LC：14个价电子，（8s8p6d5f......
用Ｂ３ＬＹＰ／Ｌａｎ１２ｄｚ方法优化了Ｌａ２Ｃ＾ｎ（ｎ＝－１，０，＋１）分子的结构，计算了Ｌａ２Ｃ的电子亲和势和离化能，并对计算结果进行了讨论。......
利用多种方法研究NH3, NH3+, NH3- , NH4+体系的物理化学性质: 离解能, 电子亲合势, 离化能, 质子亲合势, 原子化能． 这些方法有Gau......
利用系统的理论方法研究ＮＨ，ＮＨ＾＋，ＮＨ＾－体系的物理化学性质：解离能，电子亲合势，离化能，质子亲合势，原子化能，这些方法有Ｇａｕｓｓｉａｎ－ｎ：Ｇ１，Ｇ２，Ｇ２（ＭＰ２）以及ＣＢＳ－ｎ，ＣＢＳ－４，ＣＢＳ－ｑ，ＣＢＳ－Ｑ，ＣＢＳ－ＡＰＮＯ，对所得结果及其误差进行比较......
期刊
宽禁带Ⅱ族氧化物半导体材料体系,包括氧化铍(BeO)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)及合金,拥有较大的激子结合能(ZnO 60 meV, MgO 80 m......
ZnO作为Ⅱ-Ⅵ族宽带系半导体的氧化物,具有较宽的禁带宽度(3.37eV)和较高的激子束缚能(60meV),使其在短波长光电器件上具有潜在的......
本文综述了化学气相沉积(CVD)的发展和等离子体化学气相沉积(PCVD)的兴起。阐明了等离子体对化学气相沉积的增强作用及从70年代后......
自从1997年观察到氧化锌(ZnO)的室温受激发射现象,全球范围内对于ZnO半导体光电性质的研究热潮已经持续了近15年,而目前该热潮仍在......
