杂化泛函相关论文
点缺陷对半导体的光学和电学性质有重要的影响,因此缺陷的调控对基于半导体的光电器件的性能优化尤为关键。当前,实验上有许多手段......
大量的应用研究测试表明,以B3LYP为代表的传统密度泛函方法在反应能垒以及非键相互作用等重要性质的预测上存在困难,并且预测精度......
超导电性自1991年被荷兰科学家卡末林—昂内斯发现以来就广受关注，长期以来探索超导电性的产生机理与发现新型超导材料一直是凝聚态......
材料的电子能带结构性质对其在光电能量转化中的应用具有决定性作用.发展能准确高效地预测材料电子能带结构的第一性原理方法一直......
采用电子密度泛函理论方法计算了一系列(111)方向的InAs/GaSb超晶格的电子结构和能带结构.将杂化泛函的计算结果与普通密度泛函方......
基于密度泛函理论的第一性原理电子结构计算方法平衡了计算精度与计算时间,自1964年提出至今,在物理、化学和材料等领域拥有广泛的......
采用基于密度泛函理论（DFT）的投影缀加波赝势方法,选择广义梯度近似下的PBE（PerdewBurke-Ernzernhof）泛函和HSE06（Heyd-Scuseria-Ernzer......
基于密度泛函理论的第一性原理是计算共轭聚合物带隙及吸收光谱的有效方法.首先,研究了分子结构模型中单胞内分子单元的个数对计算......
密度泛函理论（DFT）方法通常难以处理强关联体系,而DFT＋U方法的计算结果强烈地依赖于U的取值.利用一种混合了部分DFT交换关联势和非局......
使用第一性原理杂化泛函HSE06的方法对Nb掺杂SnO2(NTO)的电子特性和光学性能进行了研究。计算得出NTO具有较小的结构畸变。本征SnO......
基于杂化泛函理论,我们考察了长程Hartree-Fork项在交换关联势中所占比例(α)对铁电材料PbTiO3晶体结构和电子结构的影响。我们发......
在密度泛函理论的基础上,系统地研究了Cu/N(共)掺杂的TiO2/MoS2异质结体系的几何结构、电子结构和光学性质.计算发现, TiO2/MoS2异......
以碳化硅单晶为代表的第三代宽禁带半导体材料的碳化硅半导体电力电子器件具有比硅基电力电子器件更高的耐压能力和更低的功耗性能......
随着计算方法和计算机技术的飞速发展，计算化学在化学研究中已经占有越来越重要的地位。其中，密度泛函方法由于计算量适中、计算精度......
采用电子密度泛函理论方法计算了一系列（111）方向的InAs/GaSb超晶格的电子结构和能带结构.将杂化泛函的计算结果与普通密度泛函方法......
稀土锰氧化物材料在磁存储、磁传感器等自旋电子学器件方面潜在的应用前景,以及展现出丰富的物理内容,使其成为当今凝聚态物理的重......
能源是社会发展必不可少的物质,随着经济的快速发展,例如煤、石油等传统能源已经不能满足社会发展的需求。在1972年日本研究人员发......
锐钛矿相TiO2作为一种优异的半导体光催化材料,具有良好的化学稳定性、低成本、制备简单和无毒等优点,在光电催化领域一直是研究热......
宽禁带半导体具有高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制......
<正>林霖.类Hartree-Fock方程的数值方法[J].计算数学,2019, 41(2):113-125.本文的主要目的是介绍近年来大基组下的类Hartre-Fock......
B3LYP方法能够准确计算分子几何结构,能量,频率等性质的同时还具有较低的计算花费,因而近年来,B3LYP方法广泛应用于电子结构计算中......
