电子输运特性相关论文
随着电子器件尺度的不断减小，分子电子元件的研究迅速发展。但是实验技术还不完善，实验方法和外界条件对结论有强烈的影响，对实验结果......
随着科技的迅猛发展,电子元器件朝着尺寸更小、集成度更高、能耗更低、运行更稳定以及智能化程度更高的方向发展。但是,元器件尺寸......
钙钛矿锰氧化物由于电荷、自旋、轨道和晶格自由度之间的强烈耦合产生了丰富的物理性质。这些量子态具有相近的自由能,光、电、磁......
近年来,胶体量子点因其可调的带隙宽度、优异的光电特性以及简单的制备工艺等诸多优势,吸引了研究者们的越来越多的关注。其中合金......
钴氧化物是一种重要的过渡金属氧化物,常温常压下主要以岩盐型结构的氧化亚钴(CoO)和尖晶石型结构的四氧化三钴(Co_3O_4)两种形式......
尖晶石铁氧体MFe204(M=Fe、Co、Ni、Mn等)具有丰富多样的电学和磁学性质以及高居里温度等优点,成为磁(自旋)电子学的研究热点。对......
介观量子点系统中电子输运性质的研究是目前凝聚态物理和材料物理中的一个热点。因为它不仅是对基础理论的补充，更是为量子器件的发......
随着电子器件微型化的发展，硅基半导体器件已渐近其材料与物理极限。碳基分子器件被认为是取代硅基电子器件的最佳选择。新型碳基材......
石墨烯纳米材料是目前凝聚态物理研究最为活跃的领域之一。这种只有一个原子层厚度的理想二维体系显示了不同寻常的特性,具有广泛......
CoSb3基热电材料是一类非常有前景的中温热电转换材料，但较高的热导率限制了其广泛使用。目前，降低CoSb3热导率的方法主要是对其进行......
我们采用第一性原理方法研究了由单个和两个B80分子构成的分子结的电子输运性质．研究发现，单个B80分子是一个很好的导体，平衡电导为2.......
考虑压力对有效质量的影响,讨论电子迁移率随压力的变化,分别计算并比较了体ZnSe、ZnSe/GaAs外延层以及ZnSe/ZnS超晶格系统中电子......
研究了正常金属——正常金属——超导体三端介观混杂系统的电子输运特性．从系统的格林函数出发，运用非平衡格林函数方法，推导得出了任......
利用密度泛函理论和非平衡格林函数方法，系统研究了正三角锯齿型石墨烯的电子输运特性．研究表明：正三角石墨烯的电流一电压（『_∽特性......
研究了Pd纳米粒子点阵在不同温度下的电子输运特性.对于覆盖率达到渗流阈值附近的纳米粒子薄膜,其电导具有显著的量子输运的特征.......
从第一性原理出发,利用密度泛函理论研究了SH-C8H16-SH分子和金表面的相互作用,并利用分子前线轨道理论和微扰理论定量地确定了该......
采用量子输运模型和NEGF理论,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,对类MOS-碳纳米管场效应晶体管的电子输运特性建模。考察了沟道长度Lg......
本文介绍了建立在杂化密度泛函理论基础上的研究单分子器件电子输运性质的弹性散射格林函数方法,从Mujica、Kemp和Ratner做出的开......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
非晶态合金因其长程无序、短程有序的结构特征而具有特殊性能。然而,无论是非晶材料现象学和基础认知,还是开发新型块体非晶合金(B......
表面纳米结构金属量子膜是一种非连续型金属薄膜，其厚度为纳米量级，表面具有丰富的量子点的结构。量子点又被称为“人工原子”，是一种......
纳米管异质结在纳米电子器件中具有较好的应用前景,而纳米管异质结的电子输运特性是其应用的基础,对其进行研究,不仅具有重要的理......
根据石墨烯有无碳源的实际生长方式,构建了4种石墨烯/碳纳米管T型复合三维结构采用结合密度泛函理论与非平衡格林函数的计算方法对......
