对于薄势垒Ga N HEMT采用传统钝化方式后器件表面漏电严重的问题,我们提出了一种新型钝化方式,该方式重点在于对新片进行清洗后,立......

采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构InAs(8 ML)/GaSb(8 ML)超晶格材料,响应光谱显示截止波长在5μm附近。通过腐......

选择高阻N型〈100〉单晶硅材料,X射线探测器为PIN管结构.为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅......

采用分子柬外延技术，在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs（8ML）／GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管．用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝......

利用ISE TCAD仿真软件,建立了铟镓砷(InGaAs)短波红外探测器表面漏电的二维模型。在背面照射方式下,模拟研究了InGaAs短波红外探测......