化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition,简称CVD)制备出的金刚石膜具有和天然金刚石相近的一系列独特性能,在航空、航天、国......

该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......

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采用能谱仪（EDS）和原子力显微镜（AFM）对不同衬底负偏压下射频磁控溅射法制备的Ni—Mn-Ga形状记忆薄膜进行了成分和形貌的分析。研究发......

被誉为最有潜力的宽禁带半导体材料一SiC，因其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能......

采用磁控溅射法,在衬底温度为620°C时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜.衬底负偏压增强了正离......

在本研究工作中，采用等离子体辅助化学气相沉积（PECVD）法，在单晶Si（100）衬底上，在衬底温度为400℃-700℃的低温下，得到了高质量的β-SiC薄......