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载流子冻析效应相关论文

CMOS电路低温特性及其仿真

本文采用0.25微米工艺制备了CMOS器件和电路,通过对300K、77K和4K温度下器件和电路特性的测量,研究了工作温度降低对CMOS电路特性......

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CMOS器件载流子冻析效应互连线环形振荡器 CMOS电路仿真模型低温特性 MOSFET器件 CMOS器件 BSIM3模型温度降低电路特性实际测量

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