部分耗尽SOI器件相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

部分耗尽SOI器件相关论文

部分耗尽SOI器件研究

本文研究了部分耗尽SOI器件，主要的研究成果包括：　　 1)研究了背栅沟道注入对于浮体和体接触部分耗尽CMOS/SOI器件击穿特性的影响，......

学位

部分耗尽SOI器件击穿电压半背栅沟道注入动态阈值晶体管制备工艺

SOI MOS器件辐射效应的机理与可靠性研究

当电子元器件持续暴露于辐射环境时,高能粒子会进入电子器件内。这些高能粒子将会在组成器件的各种氧化物和绝缘体结构内,形成大量......

学位

部分耗尽SOI器件总剂量效应单粒子效应氧化层空穴陷阱

看过本文同时还关注