金属-半导体相关论文
采用自制纳米TiO2粉末，以磷酸铝为粘结剂，制备了负载型TiO2光催化剂。将Ag，Pt或Pd 3种金属的盐溶液滴涂在负载TiO2的表面，从而得到修饰......
将金属纳米材料与半导体耦合形成的金属等离子体-半导体异质复合结构,其可以改善金属-半导体界面的电荷分离,还有利于促进太阳光收......
Al/Ge薄膜中斑图(pattern)的形成是一种非平衡生长现象,随着非线性科学的发展,近年来这方面的工作引起了人们极大的兴趣.较有代表......
该论文工作针对用于长波长光纤通讯中的InGaAs金属-半导体-金属光电探测器的暗电流高而导致的光接收机灵敏度降低这一致命缺点,采......
金属－半导体金刚石薄膜的接触性质研究刘兴钊，杨邦朝，李言荣，贾宇明（电子科技大学．成都６１００５４）一、引言金刚石薄膜由于具有载流子饱和速率大、击......
本文评述了单晶CoSi_2和NiSi_2的结构特点、各种制备方法、器件应用和发展前景。采用分子束外延(MBE)和“内延”法(Mesotaxy)制备......
与商用硅基或磷化镓光电二极管相比,In Ga N基可见光光电二极管在窄带通可见光应用领域表现出明显优势。到目前为止,In Ga N/Ga N ......
<正>半导体器件和集成电路,必须有一个电极系统传递功能作用.它包括三个部分:金属与半导体的接触和多层布线(这部分统称金属化系统......
本文通过分析Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料的电子漂移速度与电场的非线性关系，研究了Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ金属－半导体－金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）的光电响应与指状电极间距离，光吸收层杂质浓度......
对于金属-半导体欧姆接触,本文介绍了两种接触电阻率的测量方法:两直径法和回归分析法,测量结果较准确.对同一样品,用多种方法测显......
应用非平衡格林函数方法研究通过环形碳纳米管-量子点耦合系统的介观输运.相干隧穿与环形碳纳米管和量子点各自的能级结构有强烈的......
本文提出一种用直线四探针测量金属／半导体欧姆接触的电阻率ｐｃ的简捷方法－单点圆形模型，样品制备只需一个圆形金属电极，导出了ｐｃ的表达式。......
本文评述了金属－半导体接触的各种机理以及这个接触在半导体技术中的实际应用。...
报道了金属Ａｕ或Ｐｔ与ＭｏＯ３薄膜形成的肖特基结对ＭｏＯ３薄膜光致变色的增幅作用。纯粹的ＭｏＯ３薄膜只对紫外光有响应，但经过阴极极化处理后，薄膜就有产生可见......
美国科学家使用其研发的独特的金属－半导体“混血”纳米设备，演示了一种新的光和物质的相互作用，且在仅为几纳米的胶体纳米结构中首次......
金属-半导体复合物的“等离子体协同效应”，使其在光催化，光电器件以及激光等领域都具有广泛的应用前景。因此，如何精确地控制合成金......
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根据材料的厚度对金属-半导体间的欧姆接触电阻率的测量方法做了分类,并分别介绍了各种方法的原理。分析了它们的误差形成原因以及......
在过去的几年中，纳米材料的形貌以及尺寸备受关注，它们在发光二极管（LED），太阳能电池，光催化，生物标记等领域都有很大的应用前景。在众多......
由于高纯金及金基蒸发材料具有良好的物理化学性能，广泛应用于金属-半导体系统，是半导体行业的重要基础材料。目前，金基蒸发材料用作......
