铜化学机械平面化不同阻挡层浆料的应用引起了铜CMP后清洗的问题。阻挡层浆料的差异包含但不限于pH、研磨剂粒子材料和尺寸及铜腐......

集成电路的前缘技术是在低k介质材料上设计3个盖层的复杂结构,上面的盖层可以用TEOS(tetraethyl orthosilicate)四乙基原硅酸盐和/......

铜化学机械平面化不同阻挡层浆料的应用引起了铜CMP后清洗的问题.阻挡层浆料的差异包含但不限于pH、研磨剂粒子材料和尺寸及铜腐蚀......

集成电路的前缘技术是在低k介质材料上设计3个盖层的复杂结构,上面的盖层可以用TEOS(tetraethyl orthosilicate)四乙基原硅酸盐和/......

集成电路的前缘技术是在低厶介质材料上设计3个盖层的复杂结构．上面的盖层可以用TEOS（tetraethyl orthosilicate）四乙基原硅酸盐和／或......