CMP后清洗相关论文
随着集成电路的日益发展,生产工艺上铜已经成为首选的布线材料。目前,化学机械抛光（CMP）技术被认为是晶圆平坦化的最好方法之一。但......
在集成电路（IC）产业高速化、微缩化发展的时代背景下,器件特征尺寸以及金属互连线宽不断减小。金属铜（Cu）相对于传统互连材料铝（Al）具有......
氧化铈（CeO2）磨料在化学机械抛光（CMP）效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提......
随着GLSI的高度集成化和立体化,晶体管特征尺寸的不断缩小以及新材料的引入,对CMOS晶体管性能的要求不断提高。45nm及以下特征尺寸......
随着极大规模集成电路特征尺寸的缩小,钴（Co）由于具有较低的电阻率及粘附能力,成为铜互连的新型阻挡层材料,由于铜钴的物理化学性能......
铜化学机械平面化不同阻挡层浆料的应用引起了铜CMP后清洗的问题。阻挡层浆料的差异包含但不限于pH、研磨剂粒子材料和尺寸及铜腐......
在极大规模集成电路(GLSI)的制程中,化学机械平坦化(CMP)是目前唯一能够实现多层铜布线局部与全局平坦化的技术。经过CMP处理后,晶......
在极大规模集成电路（GLSI）中,由于特征尺寸的不断减小,杂质对于器件的危害显得异常突出,因此晶圆表面洁净度成为了影响器件成品率的......
简要论述了互连工艺中铜布线取代铝布线的必然趋势,以及铜布线片化学机械抛光(CMP)后进行清洗的必要性。在集成电路制造的过程中,......
随着微电子产业的快速发展,器件特征尺寸越来越小。生产过程中的各种污染对元器件的性能及可靠性的危害也日益突出,所以对材料表面......
主要在以碱性螯合剂去除苯并三氮唑(BTA)的基础上,通过改变清洗液的pH值来研究螯合剂对BTA去除效果的影响。BTA会和铜在其表面生成......
期刊
以螯合剂与活性剂为材料,利用难溶物质微弱电离平衡、螯合剂络合机理以及活性剂的铺展、润湿以及渗透作用,结合有机物结构相似相溶......
随着集成电路工艺的不断发展,芯片集成度不断提高的同时器件的特征尺寸却不断减小,这样杂质对于器件的危害就显得异常突出。集成电......
随着集成电路的集成度不断提高,化学机械平坦化（CMP）后清洗在半导体工艺中显得尤为重要。本文介绍了一种自主研发的新型碱性清洗液,......
BTA是集成电路多层铜布线CMP中常用的抗蚀剂,CMP后在表面的残留会严重影响其他工序的正常进行并损害集成电路性能,因此针对BTA的清......
双大马士革工艺的诞生将集成电路带入了铜互连时代,Co、Ru因其本身更优的物理化学特性,成为了14nm以下技术节点铜互连体系的新型阻......
随着微电子技术的迅猛发展,集成电路最小线宽的日益减小,集成度逐渐提高,已经迈入GLSI时代。CMP后清洗作为整个IC制造过程中的一道......
在化学机械抛光(CMP)过程中,加入苯并三氮唑(BTA)抑制Cu界面和布线条的腐蚀。但同时,会与Cu发生化学反应生成的Cu-BTA钝化膜是CMP......
由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战......
在CMP后清洗工艺过程中,往往需要对机刷进行快速更换。针对以上需求,设计了一种用于晶圆刷洗的同心卡接机构,很好地解决了机刷更换......
