深亚微米相关论文
随着集成电路的高速发展,芯片集成度不断提高,工艺尺寸越来越小,金属互连线的寄生效应带来的串扰和电压降等信号完整性问题成为电......
报道用远紫外准分子激光进行亚微米光刻的实验结果。以波长为２４８．３ｎｍ的ＫｒＦ准分子激光为光源，以光管均匀器为主构成照明系统，采用带有平行平板为......
本文介绍各种类型ＥＣＲ等离子体源和工艺研究，以及由此发展形成的几种新型刻蚀技术。
This article describes the various types of EC......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
随着VLSI集成电路技术的快速发展,设计快速、准确的GHz时钟电路CAD工具已成为21世纪集成电路物理设计的前沿课题之一,该文围绕着这......
半导体器件是构成现代电子设备的基本元件,和摩尔定律预测的结果一样,电路的集成程度越来越高,新材料和新工艺的更新周期很短,使人......
在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用。但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效......
绝缘体上硅(SOI)工艺具有寄生电容小、速度快和抗闩锁等优点,成为低功耗和高性能集成电路(IC)的首选.但SOI工艺IC更易受自加热效应......
现代工艺所提供的巨大集成能力，使得片上系统(SoC)的设计，从过去的尖端技术发展成为当今的一种主流技术，在这些SoC中一般集成一个或几......
随着集成电路技术的发展，新工艺不断出现，特征尺寸不断减小，ESD保护结构的设计面临更多挑战。因此深入研究GGNMOSESD防护特性及其影响......
采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深......
硅集成电路的按比例缩小技术进入深亚微米(小于100纳米)阶段以后,出现了一系列难以解决的设计问题,给设计人员带来了难以想象的困......
前言 90年代以来,集成电路遵循着摩尔(Moore)定律高速发展,0.18μm工艺已日趋成熟,0.13μm 12″硅片等更先进技术也将很快进入大......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
以一款基于HJTC 0.18μm工艺的YAK SOC芯片为例,根据其时钟结构,提出一种能有效减小时钟偏移的方法,该方法通过在门级将时钟根节点......
简介rn传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于......
采用两管模型分析了新型深亚微米SOI推进型栅控混合管的工作机制 ,该器件有效地改善了传统MOS器件中提高速度和降低功耗之间的矛盾......
静态随机存储器SRAM是数字系统的最重要部件之一,深亚微米工艺制造技术使得高速低功耗大容量SRAM成为可能.本文结合90nm工艺条件下......
采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法,建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型,模型中重点......
文章以相位噪声(Jitter)为核心讨论芯片设计领域深亚微米效应理论。文章在介绍相位噪声的定义、定量描述、来源以及前人的研究工作......
期刊
深亚微米工艺下超大规模芯片的物理设计面临很多挑战，互连延时和串扰效应成为影响时序收敛的关键因素。文中介绍了一种采用二次综合......
针对深亚微米工艺下版图设计中存在的时序收敛问题,提出了一种区域约束的版图设计方法.通过布局规划将各模块约束在版图的特定区域......
本文介绍了基于平台的SoC技术,对其关键技术进行了介绍,比较了基于平台的SoC技术与传统IC技术的异同.......
针对传统电感传感器及其测量系统难于同时满足测量精度和采样速度的现状,提出一种适合动态位移超精测量方法.采用半桥式电感传感器......
以BSIM 4为基本的内核,针对5 GHz左右的宽带无线通信中的RFIC设计为目标,提出了在这个工作频段专用的深亚微米（0.18μm）RF-CMOS的交......
FSI国际有限公司近日发布全新的ViPR技术，该项创新技术省去了绝大多数已注入光刻胶去除所需的灰化工艺步骤，包括1x1017离子／厘米2等离......
随着半导体工艺的飞速发展和芯片工作频率的提高，芯片的功耗迅速增加，而功耗增加又将导致芯片发热量的增大和可靠性的下降。因此，功耗......
热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电,以及电迁移等失效机理,已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁.其中,热载流子效......
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici研究了深亚微米槽栅PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响,......
为研究深亚微米尺度下应变SiGe沟改进PMOSFET器件性能的有效性,运用二维数值模拟程序MEDICI模拟和分析了0.18 μm有效沟长SiGe PMO......
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件MEDICI对深亚微米槽栅PMOS器件的结构参数,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度......
通过一个0.18μmCMOS工艺、低功耗Sigma—Delta ADC调制器（SDM）部分的设计研究．提出了一种深亚微米下混合信号处理系统的设计方法，论述......
基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量......
研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点，在0．18μm 5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位......
深亚微米下芯片的物理设计面临很多挑战，特别是对于超大规模电路，在后端设计流程上要有新的方法。本文以应用于数字滤波的脉冲压缩芯......
随着VLSI向深亚微米发展、集成电路密度不断提高,互连延迟成了加快器件速度的一个限制因素,由于互连延迟是由金属连线间的电阻及电......
详述了目前用于亚微米ＣＭＯＳＩＣ的静电放电保护方法，比较了它们各自的特点，并详细阐述了栅耦合ＰＭＯＳ触发／ＮＭＯＳ触发横向可控硅ＥＳＤ保护电路的工作原理。......
基于硅的VLSI设计和制造技术在取得极大进展的同时面临纳米新材料新工艺的挑战,世界各大公司相继开发成功纳米晶体管和纳米器件制......
本文介绍了深亚微米SoC设计的关键技术，并给出了基于平台的SoC技术而设计的一个实际SoC产品——32位税控收款机专用芯片CCM3118。......
介绍了一种对于包含较长五连线的CMOS电路的优化方法，该方法是在Logical Effort理论基础上加入互联电阻模型得到的。这是一种简单的......
一、历史回顾在集成电路家族中,目前CMOS是绝对的望族,占到90%以上,数字集成电路几乎百分之百由CMOS工艺实现.CMOS以互补为特征,包......
1．芯片的集成度日增集成电路近年来继续在沿着按比例缩小的发展道路高速前进。集成度达到了空前的水平，单个芯片的晶体管数量高达数......
用束衍生法研究了深亚微米同步辐射x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应,并对x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算.采用面向对象......
扫描探针显微镜(SPM)是80年代发展起来的一种具有超高空间分辨率的显微技术.扫描探针显微镜功能强大,在表面科学、生命科学、微电......
