特征尺寸相关论文
随着集成电路工艺的不断进步,辐射效应对电路可靠性的威胁越来越大,其中单粒子效应逐渐成为集成电路故障的主要原因。标准单元作为......
准确的纳米几何特征尺寸测量是提高集成电路等微纳技术产品质量和性能的关键技术支撑,为了得到准确一致的测量结果,必须在国家层面......
我们围绕至少一个维度特征尺寸接近1纳米甚至亚纳米尺度的纳米材料开展了研究工作。与传统尺寸较大的纳米材料相比,超细纳米材料具......
表面形貌的表征一直是材料科学、地质学及生物医学等领域的研究热点,物品表面形貌的好坏能直接影响到使用寿命、系统性能等,因此在......
再生块体混凝土是废旧混凝土循环利用的一条高效途径。课题组前期曾对再生块体混凝土及其构件的基本力学性能和抗灾性能进行了探索......
微纳加工领域对高纵宽比的微结构需求日益增加。SU-8光刻胶由于其良好的化学、机械、物理等方面的优越性能成为制作高纵宽比微结构......
为了研究片烟形态、结构与烟丝结构的关系,建立烟丝结构的预测模型,采用相关分析、逐步回归分析和通径分析等方法考察了片烟形态、......
随着半导体技术的飞速发展,传统的SiO2无法克服由MOSFET器件特征尺寸的不断缩小所带来的量子隧穿效应的影响,从而极大地制约了微电......
现在我国科技的发展速度已经开始变得越来越快了,在很多领域电子科学技术都发挥了非常重要的作用,作为一种科技含量非常高的电子科......
随着我国半导体制造业的快速发展以及机器视觉的普及,把机器视觉应用于电路板生产线作为检测手段在国内已经成为一种行业需求。因......
液体在固体表面润湿性的研究是制备超疏水表面的理论基础,因具有良好的应用前景而受到广泛的关注。目前,人们对固液接触润湿性的研......
电弧等离子体具有高温、能量集中等特点，在工业生产中有着广泛的应用，但是由于电弧等离子体横向截面小、物理参数梯度大等特点，其在一......
虽然经过几十年来的发展,结构拓扑优化已经受到了工业领域的广泛关注,但是随着研究内容的复杂程度不断提高,研究对象的领域不断扩......
围绕至少一个维度特征尺寸接近1纳米甚至亚纳米尺度的纳米材料开展了研究工作.与传统尺寸较大的纳米材料相比,超细纳米材料具有更......
CMOS的未来已经在产业界和学术界引起了极大的关注。CMOS有望在未来15年内继续生存下去。大多数人会认为这是由于制造工艺实现了等......
随着芯片特征尺寸的减小,光刻成像技术的不断提高,而关键尺寸(CDs)的缩小则产生了更为精确的套刻精度.这些套刻精度在已随着工作台......
研究了不同复烤温度下,不同部位片烟复烤前后的收缩率及大小分布规律.结果表明:①片烟在复烤过程中其收缩率与复烤温度呈正相关,温......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用脉冲激光源及脉冲X射线源，开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验，测量了CMOS电路瞬时剂量率效......
随着芯片复杂度的提高,EDA工具在整个设计链中越来越重要;随着工艺特征尺寸的缩小以及手持设备的不断普及,集成电路面临着越来越严......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
2下一代光刻技术虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征......
在锁相环设计中 ,前置双模分频器 (DMP)是一个速度瓶颈 .文中提出一种新的分析方法 ,将限制 DMP速度的因素分为两个方面 ,寄存器级......
集成电路作为电子信息产业的核心,它能在短短的几十年内得到如此迅速的发展,并非偶然,它有着它自身的发展规律。在发展的同时也与......
介绍了X波段盘荷波导行波加速结构研究的部分计算结果。给出了RF频率为 9 37GHz的X波段盘荷波导行波加速结构物理设计参数 ,研究了......
针对激光金属直接成形过程中的特征尺寸问题,采用ANSYS有限元分析软件,对方波作用模式下的激光熔池温度场进行了模拟分析。结果表......
以提高螺纹紧固件设计自动化程度为目的,研究在Solifforks环境下螺纹紧固件参数化设计的方法.以六角头螺栓为例,介绍了参数化设计......
针对三维服装仿真中对各种不同体态特征的人体模型的需求，给出了一种个性化三维人体建模方法。首先对一系列具有不同特征尺寸的成年......
21世纪的硅微电子技术方向现今,信息技术发展史上有三个重要定律:第一个就是众所周知的"摩尔定律";另外还有"光子定律",表明光传输......
通过对1种配方叶丝（A）和3种不同配方烟丝（B，C，D）进行连续多次卷制，分析了烟丝结构与卷烟端部落丝量的相关关系。结果表明：在试验范围内，①卷......
集成电路的特征尺寸将降低到0．1μm，这时器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容造成的延时、串扰、功耗已经成为限......
集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次.小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多......
IC工艺技术趋势先进的CMOS技术使半导体供应商能够生产特征尺寸日趋减小的集成电路（IC）。减小IC特征尺寸的优势不计其数。特征尺寸越......
受限于适航认证工作的相关要求及我国航空技术相对落后的现状,国产机载火焰抑制器的研制开发起步较晚。通过对机载火焰抑制器压力......
随着半导体技术的发展，衡量半导体制造技术的关键参数一特征尺寸（GD）亦朝着细微化方向发展，从最初的数微米发展到当前的65纳米、45纳米......
阳极底掌下气泡的行为直接影响电解过程中相间的传热传质、阳极电流分布、槽电压降以及阳极效应的发生，对铝电解工业生产影响重大。......
文章采用萨方程对CMOS工艺的6管静态存储单元结构进行分析计算,探讨了在工艺特征尺寸确定的情况下,晶体管沟道宽度为何值时存储阵......
