单电子晶体管相关论文
由于光电方面的应用,半导体纳米材料是近几十年很有潜力的研究领域。由于量子限制效应和大的表面积体积比,纳米材料具有与体材料完......
集成电路(Integrated circuit,IC)技术近60年的飞速发展,对信息化时代的到来起到了极大的推动作用。但随着器件特征尺寸的不断缩小......
纵观SET 及数字应用的研究现状，对SET 特别是双栅极或多栅极SET 的原理、I-V 特性、SPICE宏模型和基于SET 的数字电路、设计研究不......
石墨烯结构独特，性能优异，因而到了广泛关注。研究发现石墨烯可以用于制备量子点和电子器件，石墨烯量子点用做单电子晶体管的库仑岛，可......
６单电子晶体管的集成单电子晶体管的集成化将依赖于各元器件的无线耦合［３］，这与传统的大规模集成电路原理不同。基于这种单电子器件的集......
SET/CMOS作为一种单电子晶体管与纳米级CMOS混合结构的新兴纳米电子器件,不仅实现两者优势互补,而且其突出的功能特性极大影响着电......
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性数学算法改进模型.该模型的优点是:考虑了背景电荷的影响,可由实际物理参数直......
基于提出的单电子晶体管和MOS混合器件构成的非线性电阻电路以及CMOS构建的模拟电感,实现了一种新型蔡氏混沌电路,得到其双涡卷混......
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试......
利用建立的常规光刻法的纳米加工工艺系统 ,研制碳纳米管晶体管、单电子晶体管和单电子晶体集成的纳米器件 .研制出了 90K的单电子......
对多种纳米材料和纳米器件的噪声进行了比较详细的研究,对纳米器件中几种常用的噪声测量方法进行了探讨。讨论了利用噪声(主要是散......
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和二叉判别图数字电路的设计思想,改进了二叉判别图(BDD))单元,得到了一类基本逻辑门电路,进而提......
在分析了单电子晶体管(SET)的I-V特性后,通过对SET背景电荷的设置,使之具有类似PMOS或NMOS的电学特性;同时将传输电压开关理论引入......
通过研究单电子晶体管在电路中的静电能量的变化 ,得到了它的阻塞、导通情况与其两端偏压和控制栅压之间的关系 ,从而给出了它的通......
基于双输入单电子晶体管与MOSFET的混合结构I-V特性和数字电路的逻辑设计思想,提出了一种由5个双栅极SET和6个MOSFET构成的一位比......
基于单电子晶体管的特性,利用电流模式技术,提出一种单电子晶体管(SET)的混沌电路实现方法.全SET混沌电路的实现,更加便于用集成电......
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点,制作出多岛结构的单电子晶体管.在77 K温度下对源漏特性进行了测试,......
利用单电子晶体管和互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的混合结构所具有的负微分电阻特性实现了细胞神经网络(CNN),设计构成了CN......
本文基于一种单电子晶体管数学模型（改进的MIB模型），实现其SPICE宏模型。提出一种改进型SET／CMOS混合器件模型，并用SPICE对其I-V特性进......
基于单电子晶体管的I-V特性，运用CMOS动态电路的设计思想，提出了一种基于单电子晶体管的全加器动态电路，利用SPICE对设计的电路进行了......
在正统单电子理论的基础上，使用主方程方法，对金属隧道结组成的单电子晶体管进行了I-Vg和I-Va特性曲线的数值模拟。在单电子晶体管中......
首先,分析了纳米电子器件碳纳米管、单电子晶体管的结构特点及其应用;然后,指出了碳纳米管、单电子晶体管应用中有待解决的问题;最......
基于传统单电子理论,阐述了单电子晶体管的结构、原理、特点及应用.给出了三种仿真方法的具体实现过程:解主方程方法、蒙特卡洛方......
基于单电子系统半径经典模型，分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性，得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点，通过时域特性分析，指......
单电子晶体管是晶体管的主要形式之一,本文深入的分析了单电子晶体管的工艺制作技术,并对提升单电子晶体管运行质量的具体方案进行......
采用等效电路的方法，将单电子晶体管（SET）等效为由电容、电阻、多个压控电压源和压控电流源构成的电路，并从SET的结构出发，利用正统理论......
文章论述了单电子盒中的库伦阻塞对电子输运性质的影响，主要考虑盒中静电荷与外部电压的关系以及晶体管能量对外部条件变化的响应。......
基于SET-MOS混合结构的或非门构建了基本RS触发器和主从式D触发器，对所设计的新型触发器电路进行了分析研究，并将其应用到寄存器和移......
研究了单电子晶体管(Single electrontransistor,SET)Ⅰ-Ⅴ特性的一种简化分析方法,在此基础上设计了SET积分器,并阐述了该积分器......
文章介绍了单电子晶体管的产生背景、工作原理、最新的制备工艺、计算机数值模拟和存在的问题,并对其应用前景进行了展望.......
当电子器件的尺寸接近纳米尺度时,量子效应对器件工作的影响变得格外重要,就需要采用具有新机理的晶体管结构,单电子晶体管(SET)就......
基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型.该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成.与半分析......
在实验中观察到纳米线金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）室温下出现I-V高电流似单电子库......
介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点的工艺方法;采用这种工 艺在P型SIMOX(separation by implanted oxyge......
结合单电子晶体管的FV特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想，设计实现了4×4位的只读存储器电路。该电路各主要组成部分均由单......
基于单电子晶体管的主方程算法,在简化Lientschnig的单电子晶体管模型基础上,建立了基于Verilog-A的单电子晶体管行为描述模型,并......
随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础.本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线......
随微细加工技术的发展,单电子晶体管的研究越来越受到重视.本文介绍了单电子晶体管的工作原理、几种典型的单电子晶体管和它们的集......
基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶......
提出了一种应用PSpice仿真SET的方法,该方法通过所设计的宏模型可实现SET的基本特性仿真.仿真结果表明,所设计的宏模型具有合理的......
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型.该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑......
在分析单电子晶体管(Single Electron Transistro,SET)I-V特性基础上,阐明了背景电荷对SET I-VGS特性和I-VDS特性的影响,并针对SET......
文章在研究单电子晶体管(Single Electron Transiistor,SET)I-V特性的基础上,阐明了一种简化分析方法,并据此设计了一个SET积分器,......
研究了单电子晶体管的特性，文章提出一种基于单电子晶体管阵列的传输特性实现CNN方法，设计构成CNN。仿真结果表明，所设计的硬件电路具......
文章基于单电子晶体管SET（Single Electron Transistor）出了一个A／D转换电路．这种电路完全利用了SET库仑振荡效应，能够在室温度下正常工......
基于SET的Ⅰ-Ⅴ特性以及SET与MOS管互补的特性,以MOS管的逻辑电路为设计思想,首先提出了一个SET/MOS混合结构的反相器,进而推出或......
对细胞神经网络增强单电子电路的鲁棒性的机理进行了理论分析,构建了一种新型的基于细胞神经网络的单电子电路模型,并将其应用到图......
