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用ＰＥＣＶＤ方法生长不同氧含量的非晶化硅（ＳｉＯ〈，ｘ〉（０＜Ｘ＜２）薄膜，离子注入Ｅｒ〈’３＋〉，退火后在７７Ｋ测量铒在１５４μｍ处的光致发光。７７Ｋ温度下的铒离子的光致发光强度随着非晶......

本论文以纳米材料的制备和应用为背景，以准一维纳米材料的制备为重点，报道了非晶氧化硅准一维纳米材料领域中的前沿研究进展和我们的......

以液态金属Ga作为催化剂合成了大量的非晶SiO2纳米线阵列.这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8 nm,长度大于300μm.研......

表面涂层技术是提高核用锆合金抗氧化能力的一种有效的手段。锆合金原位生成的氧化锆保护层有其局限性,一是氧化锆内部会出现四方......

通过分子动力学研究化学机械抛光过程中非晶SiO 2团簇与单晶硅的微观接触行为,采用Tersoff势函数模拟了SiO 2/Si之间的内部和表面......