光致荧光谱相关论文
采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层, 采用光致荧光光谱（PL）和时间分辨荧光发......
InAs/GaAs半导体量子点(quantum dots,QDs)许多独特的物理性质,已经被广泛应用于开发新一代光电子器件,深入研究InAs量子点的光电......
在该文研究了Gap(111)单晶、处延片在90±2℃的CHCSNH溶液中不同钝化工艺条件对表面性质的影响.用X光电子能谱仪(XPS)和扫描电子显......
自组织InAs量子点材料不仅在基础物理方面，而且在器件应用方面均具有重要意义。本论文利用分子束外延(MBE) 技术制备了高质量的调制......
采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱单元 ,通过光致荧光谱测量 ,研究了单纯的离子注入......
在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制......
对GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料进行了光致荧光谱（PL）测量，结合理论计算，由材料吸收峰位置得到势垒高度以及势阱基态位置，并由......
采用氧化和析出的方法在氧化硅中凝聚生成锗纳米晶体量子点结构。其形成的锗晶体团簇没有突出的棱角和支晶结构，锗晶体团簇的轮廓较......
热效应是限制外腔面发射激光器（VECSEL）输出功率和光束质量的主要原因.为了优化VECSEL增益芯片有源区量子阱的设计,降低激光器的热效......
对血卟啉生理盐水溶液的吸收谱和光致荧光谱进行了分析,并根据共轭化合物的休克尔分子轨道(HMO)图形理论对血卟啉πMO能量进行了估......
报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层（13～20nm厚）高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法，研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质......
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2......
InGaN半导体材料具有带隙宽度通过改变In组分可调的特点,被广泛应用在新一代光电子器件中,但绿光LED依然存在"绿隙(green gap)"问......
Ⅲ-Ⅴ族In(Ga)As/GaAs半导体量子点(quantum dots,QDs)纳米材料展现出很多优异的物理特性,在光电子器件领域具有广阔的应用前景。......
光电功能晶体是现代高新技术的关键材料。当前，光电子技术迅猛发展，信息的主要载体也由电子转向光子。依赖光电功能材料来实现光子和......
随着光纤通信和集成光电子学的迅速发展,掺铒光波导放大器已成为了光纤通信与光电子学领域研究和应用的热点。Er3+离子具有独特的......
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器（Quantum Well Infrared Photodetectors，QWIP）是先进薄膜生长技术与微电子学相结合的新型红外探测器。......
研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的......
