非选择性外延相关论文
基于非选择性外延,基极/发射极自对准和集电区选择性注入,提出了一种可用于1.5μm SiGe BiCMOS集成的HBT器件结构及其制作流程.并......
基于非选择性外延，基极／发射极自对准和集电区选择性注入，提出了一种可用于1．5μm SiGe BiCMOS集成的HBT器件结构及其制作流程。并利用......
