用于1.5μm BiCMOS技术的SiGe HBT结构及工艺研究

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基于非选择性外延,基极/发射极自对准和集电区选择性注入,提出了一种可用于1.5μm SiGe BiCMOS集成的HBT器件结构及其制作流程.并利用TSuprem4,Medici进行了工艺模拟和电学特性仿真.模拟结果表明,所设计的SiGe HBT具有良好的电学特性.当Vce为2.5V时,其最大电流增益为385,截止频率达到54GHz,验证了流程设计和器件结构的合理性.
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