驱动损耗相关论文
讨论了同步整流管在工作过程中损耗产生的原因,给出了各种损耗和具体计算公式.通过理论和实验证明了公式的正确性.......
功率半导体器件是电力电子技术的核心，特别是第三代宽禁带半导体中的碳化硅(SiC)器件在临界击穿电场、禁带宽度、热导率等物理性能......
提出了一种适用于常开型功率器件的谐振门极驱动电路,它利用辅助电感Lr来回收门极储存的能量,减小门极驱动损耗。同时利用辅助电容......
为了减少高频工作下开关管的驱动损耗，本文提出了一种基于反激变压器的双功率MOS管互补谐振驱动方法。这种新型谐振驱动方法可驱动......
据市场专家的预测:在今后的五年内,小功率DC/DC变换器的主要趋势是:为了适应超高频CPU芯片的迅速发展,DC/DC变换器的向低输出电压(......
产品亮点采用专利温控技术,性能可靠,市场占有率稳步提升。采用徐工专利温控技术,节能环保,响应灵敏度高。可选配远程无人驾驶功能......
谐振门极驱动电路能够减小高频下MOSFET的驱动损耗。首先介绍了传统电压源驱动及其存在的诸多问题,引出谐振驱动技术。综述了目前......
基于传统电压源型驱动（Voltage Source Driver,VSD）电路驱动过程中产生的损耗大、dv/dt问题引起的开关误导通等问题,对传统VSD电路和......
提出一种基于DC/DC变换器IC大功率晶体管模块的基极驱动电路,减小了驱动损耗,简化了驱动电路与工艺.......
电力电子功率器件的快速发展使变换器趋于小体积、高频化、高功率密度,因此高频、超高频功率变换技术得到广泛关注。在低压输入变......
为了减小体积，加快动态响应速度，减少功率MOSFET管的驱动损耗，提高变换器的效率，对现有谐振驱动电路方案的优缺点进行评估。对传统驱动......
高效率、高开关频率和高动态响应是近年来开关电源领域研究的重点,但开关频率的提高伴随着驱动损耗的急剧增加,特别是当开关频率达......
为降低碳化硅(SiC)双极型晶体管(BJT)开关过程中的总损耗,针对SiC BJT典型的双电源阻容驱动电路,研究了考虑回路寄生参数情况下SiC......
阐述了最近出现的几种器件的原理，诸如超级结型(Super Junction)MOSFET，IGBT和SiC(碳化硅)器件的发展趋势。所有这些器件都具有1000V......
针对LLC变换器的控制管,采用谐振驱动电路(RGD);针对同步整流管,采用电流连续型的电流源驱动电路(CSD)。详细分析了RGD和CSD电路的......
提出一种新型双功率MOSFET管互补谐振驱动电路,对电路的工作原理、性能特性和关键电路参数设计进行分析,并建立仿真和样机实验。该......
期刊
在当前传统Si MOSFET性能正在达到物理极限的情况下,第三代宽禁带半导体功率器件SiC MOSFET由于具有高温工作能力强、极限耐压等级......
负载谐振桥式逆变器中功率MOS管工作在软开关状态,开关频率的提高,要求门极驱动电路具有充电电流大、开关速度快、驱动损耗小的特......
随着电压调节模块VRM向着低压、大电流、高频化方向发展时,门极驱动损耗已成为影响电路效率的重要方面。传统的门极驱动电路由于驱......
