开关过程相关论文
共源共栅级联（Cascode）型氮化镓（GaN）功率器件开关过程较为复杂,其开关过程和功率损耗直接影响器件的设计、应用和分阶段建模.由于器件......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
针对传统建模方法较复杂的问题,提出一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)行为建模的方法。用一组简单方程描述了......
基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外......
功率器件在开关过程中的电压尖峰、电流尖峰及开通时间、关断时间等问题是评估一款器件乃至电力系统装置可靠性的重要因素。文中从......
随着半导体器件功率等级提高、开关速度加快,开关过程引起的电磁干扰(EMI)问题也日渐突出。与传统的EMI问题不同,电力电子系统的EM......
在众多让被统治居民和反抗联盟感到恐惧的武器中，最让人绝望的无疑就是帝国的最强战舰——歼星舰。这是帝国武力的象征，也是让整个宇......
随着农网改造的全面推进和不断深入进行，对漏电保护开关的使用提出了越来越高的要求，农村电网的保护方式在原有的基础上也发生了一些......
晶体三极管在电路中作为开关使用的时候,其开关闭合过程和断开过程都需要一定的时间,这个时间称为开关时间。提高开关速度也就是缩......
杀菌机的温控系统直接影响啤酒的PU值及蒸汽的消耗。青岛啤酒（兴凯湖）有限公司包装车间2#灌装生产线杀菌机温控系统原使用的阀门是机......
当晶闸管阀导通时,交流系统、杂散电容、阻尼回路、阀避雷器等的电流相互耦合,共同决定了晶闸管的开通过程。晶闸管阀关断时,反向......
在天平的开关过程中，把天平的横梁和吊耳落下或支起的机构叫天平的横梁吊耳托翼。托翼起着隔离和定位的作用，它的隔离作用是指当天平......
为降低碳化硅(SiC)双极型晶体管(BJT)开关过程中的总损耗,针对SiC BJT典型的双电源阻容驱动电路,研究了考虑回路寄生参数情况下SiC......
普遍所说的开关电源指的是硬开关电源。硬开关电源，开关器件是在承受电压或电流的情况下接通或断开的，所以在开和关的过程中会产生较......
<正>本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主......
<正>本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MO......
高压直流换流站中,换流阀开关电磁瞬态是稳态电磁骚扰分析和换流器均压设计的关键考虑因素。因此基于高压换流阀运行实验系统搭建......
为了计算共栅共源结构高压氮化镓（GaN）器件开关损耗,提出一种共栅共源结构GaN器件开关过程及损耗模型.通过考虑共栅共源结构中印制电......
木文在分析了IGBT的半导体结构之后,提出了一种复合模型结构,利用PSPICE中已有的功率MOSFET和双极性晶体管模型组合成IGBT等效模型......
