栅极驱动电路相关论文
针对功率半导体器件不断提升的开关频率和工作电压等级使得传统的栅极驱动电路面临着传输延时长、共模瞬态抑制能力（CMTI）不高等一系......
随着电力电子器件的发展，基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的电压源型变换器在柔性直流输电系统中得以广泛采用。IGBT作为其中核心的功......
本文介绍了大型电动汽车中,电动机控制器IGBT模块驱动电路的设计思路,阐述了IGBT模块的特性、栅极驱动电路的设计与保护,以及IGBT......
随着半导体产业的不断进步,硅(Si)作为一种传统的半导体材料已经无法满足某些领域应用的需求,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体......
学位
诸如智能电表或者功率监控器的离线设备都有一些要求10w以下非隔离DC电源的电子元件.到目前为止,通过一个AC电源提供低功耗DC电源......
介绍了一种采用非晶硅薄膜晶体管制作的14.1英寸WXGA(1280×RGB×800)液晶显示器栅极驱动电路.该栅极驱动电路的主要特点是电路中......
非晶硅薄膜晶体管（Amorphous Silicon Thin Film Transistors,a-Si TFT）具有器件性能均匀、成本低、适用于大面积显示的优点,是平板......
0引言通常功率场效管内部（栅-源极间）制作了一个保护用的齐纳二极管,由于该齐纳二极管的存在,也将使MOSFET管的栅极输入电容增大。因......
针对双极型步进电机控制芯片,设计了无升压结构的MOSFET栅极驱动电路,简化电路结构,利用缓冲电路防止振荡和直通,获得合适的开关时......
3IGBT栅极驱动电路的抗干扰措施栅极驱动电路的合理布局是很重要的。减少噪声,提高可靠性,提高抗干扰能力,在合理布局中都能得到体......
空调压缩机驱动电机变频器,其功能是控制空调的三相驱动电机运作,其内部各个电路（图7）的作用如下：①“栅极驱动电路”对各IGBT管的栅......
提出一种新型双功率MOSFET管互补谐振驱动电路,对电路的工作原理、性能特性和关键电路参数设计进行分析,并建立仿真和样机实验。该......
期刊
宗旨:■测量-MOSFET开关损耗,开关时间和栅极电荷准确度。-肖特基势垒二极管(SBD)和二极管反向恢复精确性■为栅极驱动和电源回路P......
宽禁带半导体的发展给电力电子领域带来新一代功率开关器件,随着Si C功率器件的发展,Ga N功率高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波毫米......
<正>4高温工作由于SiC功率器件具有更高的击穿电压、工作温度和热导率以及更低的开关和导通损耗等优点,可以突破Si IGBT的最高结温......
随着电力电子技术的飞速发展,以硅(Si)材料为基础的功率器件性能难以满足日益增长的技术需求。凭借着碳化硅(SiC)材料优良的特性,......
相较于硅(Si)器件,碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有更高的开关频率,使得传统驱动下的SiCMOSFET桥臂串扰现象......
为了满足市场对LCD面板高分辨率、窄边框的需求,面板设计引入了玻璃上集成栅极驱动设计。本文对传统液晶显示面板栅极电路设计做了......
针对现有栅极驱动芯片M57962L体积大、环境适应性差的问题,经过深入调研,选用1ED020I12-FA栅极驱动芯片代替M57962L。设计基于该芯......
电力电子技术、电机技术、控制器技术的发展为机电一体化产业的进步提供强大的动力。与经常应用在电机控制中的有刷电机相比,MCU控......
脉冲变压器常被用来隔离传递功率MOSFET的栅极驱动信号,其外围电路存在多种拓扑形式。该文提出了一种新型的可负压关断的拓扑电路,......
ＩＧＢＴ的栅极驱动是ＩＧＢＴ应用中的关键问题。本文阐明构成ＩＧＢＴ栅极驱动电路的注意事项，基本电路参数的选择原则，还介绍了几种驱动电路实例。......
在大功率IGBT应用系统中,脉冲变压器隔离的栅极驱动电路由于能得到相对较高的隔离电压,可实现较高开关频率等优点,被广泛应用。在......
本文采用硅基耐高温器件设计了一种应用于高温环境的SiC MOSFET驱动电路及其保护电路。其中主驱动电路的作用是将输入的控制信号幅......
学位
