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通过一个简单的溶液方法在相对温和的温度下合成了硫化锌纳米线束和纳米棒阵列.利用扫描电镜，透射电镜，分光光度计和接触角仪对......
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本工作采用离子注入的方法在GaN晶体中引入杂质，并在退火前后应用光致发光的手段研究离子注入对晶体发光的影响。样品为用MOVPE......
提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射。实验上首次直接测出了黄光发......
提出了一种新的光谱——吸收归一化光致发光激发谱,并用这种光谱研究了非掺杂GaN的黄光发射.实验上首次直接测量出了黄光发射的初......
采用射频磁控共溅射法在硅基片上沉积了Ge掺杂ZnO薄膜,所制备的样品具有强蓝光发射和弱黄光发射.通过分析Ge掺入量和退火温度对发......
提出了一种新的光谱－吸收归一化光致发光激发谱，并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射，实验上首次直接测出了黄光发射的初始态......
GaN材料为直接带隙、宽禁带半导体材料,具有优良的的光、电与热传导特性,因此适合作为短波长光电元件的材料。自1993年第一只商业......
