蓝光发射相关论文
通过高温固相反应合成了新型的蓝色荧光粉Sr7Zr（PO4）6:xEu2+。通过X射线粉末衍射（XRD）、紫外可见（UV-Vis）吸收光谱、荧光光谱研究了Sr7Zr......
期刊
聚合物发光二极管（Polymer Light-Emitting Diode,PLED）具有可溶液加工、成本低且能大面积制备等优点,能很好地应用在大面积柔性显示......
金属卤化钙钛矿是新型的具有优异光电性质的材料。钙钛矿发光二极管（light-emitting diode,LED）经过近5年的发展,在效率上已经取得飞......
铅卤钙钛矿因其优异的光电性能而备受研究者的青睐,而铅元素的毒性问题严重制约了商业化发展。钙钛矿衍生物的出现解决了毒性问题......
通过高温固相反应合成YVO4∶xTm(x=0.001,0.003,0.005,0.007,0.01,0.03,0.05)蓝色系列粉末状发光材料。经X射线衍射分析产物为单相......
近年来,大功率荧光粉转换发光二极管（pc-LED）由于其独特的优势,例如高效节能、结构紧凑、环保等,被认为是继白炽灯和节能灯之后的新......
自1987年有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diodes,OLEDs)发明以来,因其具有自发光、低电压驱动、轻薄、发光视角宽、响应......
铯铅卤钙钛矿纳米晶（NCs）具有发光波长可调、量子产率高等优点,可用于纳米激光器、太阳能电池和发光二极管（LED）等诸多领域,近年来引起......
通过荧光光谱研究了放电等离子体氧化的α Si∶H薄膜的荧光特性 ,在 45 0nm～ 5 0 0nm范围内常温下观察到强蓝光发射 ,发光强度随沉......
ZnO是一种重要的直接宽带隙半导体材料。激子束缚能高达60meV,比室温热离化能26meV高很多,激子不易发生热离化,因而易于实现高效率......
聚合物电致发光器件在平板显示领域具有广阔的应用前景,红、绿、蓝三原色发射是全色显示的前提,但目前在聚合物电致发光器件中,相......
多孔硅作为一种硅基纳米发光材料,由于具有与现有硅芯片集成容易、研制成本低以及发射光均匀、多色等优点而被国内外科学家广泛研......
多晶ZnO薄膜是一种多功能宽带隙氧化物半导体薄膜材料,它可以作为透明导电薄膜、压电薄膜、光电子器件、气敏和湿敏器件而具有广泛......
多孔硅和碳化硅都是良好的硅基发光材料，在半导体光电材料中都有很大的应用。由于硅晶体本身并不发光，而碳化硅又是良好的硅基蓝光发......
近年来,ZnO基半导体受到越来越多的关注。室温下的ZnO具有良好的物理性能：禁带宽度为3.37 eV左右,激子束缚能为60 meV,可以实现室温......
利用射频磁控溅射法在n型单晶硅衬底上制备了ZnO薄膜 .通过改变源气体中氩气和氧气的流量比制备了具有不同化学计量比的ZnO薄膜 ,......
使用光谱表征技术研究了非掺杂n型GaN的蓝光发射机理 ,给出了 42 7～ 496nm (2 5～ 2 9eV)范围的蓝光的发光模型。蓝光发射为施主型......
8-羟基喹啉铝类有机金属配合物作为一类重要的发光材料广受关注.文章合成并通过真空升华提纯得到了一种高纯度的8-羟基喹啉铝的衍......
在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中, 采用a-Si:H层淀积与原位等离子体氧化相结合逐层生长的方法成功制备了一个系列的不同a......
对多孔硅样品进行了各种气氛下(氮气、氩气、氧气和空气)的快速热处理(rapid thermal process,RTP).测试了RTP处理前和处理后多孔......
在等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)系统中 ,采用a Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a Si∶H SiO......
通过高温固相反应合成 YVO4∶ xTm(x =0.001,0.003,0.005,0.007,0.01,0.03,0.05)蓝色系列粉末状发光材料。经 X 射线衍射分析产物......
为了制备结晶质量好的Cu掺杂ZnO薄膜，研究其结构和光学性质，采用脉冲激光沉积方法，在Si衬底上选择不同的衬底温度来制备薄膜。实验成......
采用聚丙烯酰胺凝胶法制备Al掺杂ZnO（AZO）前驱体,在500和600℃下煅烧获得AZO粉体。采用DSC、XRD、SEM、UV-vis吸收和荧光发光（PL）对粉......
利用蓝色发光材料DPVBi掺杂高荧光染料rubrene做发光层制备了蓝色发光器件.在掺杂浓度为1.5%(wt)左右的情况下,当改变掺杂层的总的......
在电容耦合式PECVD系统中,以CH4和H2为气源,通过控制H2的流量制备了一系列氢化非晶碳膜(a-C:H)样品.利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)......
用电化学腐蚀法制备了多孔硅(PS)，在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理，并进行了光致发光(PL)谱和原子力显微镜......
合成了一系列蓝光锆(Ⅳ)配合物[Zr(NN)(DBM)3]Cl(DBM=二苯甲酰基甲烷,NN=1,10-邻菲罗啉1;2,9-二甲基-1,10-邻菲罗啉2;4,4’-二甲基......
采用碳包埋方法制备了不同Eu^2+掺杂浓度的七铝酸十二钙(C12A7∶x%Eu^2+)导电荧光粉。在254nm的紫外光激发下,样品呈现出位于444nm......
研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV，剂量为2×10^16cm^-2的碳离子注入后的外延单晶硅片......
利用射频磁控溅射方法,在石英表面上制备了具有良好的c轴取向的纳米ZnO薄膜。室温下,在300 nm激发下,在450 nm附近观测到ZnO薄膜的......
采用射频磁控共溅射法在硅基片上沉积了Ge掺杂ZnO薄膜,所制备的样品具有强蓝光发射和弱黄光发射.通过分析Ge掺入量和退火温度对发......
以氟化钠、硝酸钇、硝酸铈为原料,采用水热法和共沉淀法合成棒状NaYF4∶Ce3＋材料,利用XRD、SEM、红外光谱、荧光光谱分析仪对其结构......
通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了β-SiC薄膜，用HF酸(40％)和C2H5OH(99％)的混合溶液对β-SiC薄膜进行了电化学腐蚀处理，形成了多......
合成了新型三溴代的含有吡啶并[3,2-b]吡嗪的化合物,通过Suzuki缩聚反应合成了以吡啶并[3,2-b]吡嗪为核,以9,9-二辛基芴为枝的超支......
8-羟基喹啉铝类有机金属配合物作为一类重要的发光材料广受关注。文章合成并通过真空升华提纯得到了一种高纯度的8-羟基喹啉铝的衍......
用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜.红外(IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2+(2-x)Si化学反应.SiO2与纳米晶硅(nc-......
获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为1 000℃样品具有最强的发射强......
The investigation of the supramolecular interactions between the zinc chloride salts and the crown ether in tetrahydrofu......
随着单色OLED的性能逐渐成熟．白光OLED（whiteorganiclight-emittingdiodes．WOLED）作为一种新型的固态光源，在照明和平板显示背光源等方......
通过构建合适的温度梯度,优化转速、生长速度等工艺条件,采用提拉法晶体生长技术,首次成功地生长出了Ti离子掺杂的Ti:Mg Al2O4晶体......
有机电致发光(EL)材料现已应用于光电器件多个方面,其在有机发光二极管(OLED)领域已取得了重大进展。因此,开发新型的有机电致发光......
电化学腐蚀是蓝光发射的前提,但不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大,随着电化学腐蚀条件的加强,蓝光峰将被红光峰代替.......
金属卤化物钙钛矿材料凭借其低成本、高色彩饱和度、高荧光量子产率、可调的发光波长和溶液加工等特点,在下一代平板显示和固体照......
飞利浦舒视蓝采用专利护眼背光，通过460nm长波长蓝光激发新配方荧光粉得到白光，从根本上减少有害蓝光发射，健康护眼的同时可以杜绝亮......
采用溶胶-凝胶法合成了一系列的（Ba,Ca）5（PO4）2SiO4：Eu^2＋荧光粉。所制备的荧光粉通过X射线衍射（XRD）,场发射扫描电镜（FE-SEM）和光致发光（PL）进......
