193nm光刻相关论文
评价了先进的 1 93nm抗蚀剂材料在全视场步进扫描系统中的光刻性能。对单层和双层抗蚀剂进行了性能和复杂性的比较。通过对最佳照......
光刻是大规模集成电路制造过程中最为关键的工艺,光刻的分辨力主要取决于光刻投影物镜的光学性能。光刻投影物镜光学元件面形精度......
雾状缺陷（Haze defect）是残留在掩膜版上的有机物或无机物，它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时．这类缺陷尚不会引起太......
阐述了可实现0.1 μm线宽器件加工的几种候选光刻技术,对193 nm(ArF)准分子激光光刻技术作了较为详细的论述,指出其在0.1 μm技术......
浸没式光刻通过高折射率的液体充入透镜底部和片子之间的空间使光学系统的数值孔径具有显著的优势.在193 nm曝光系统中,水(折射率......
在65nm及以下节点，掩膜版的清洗变得更为关键，需要采用新的方法和技术。在传统的湿法工艺化学顺序中，首先用硫酸／双氧水混合液，然后是氨......
