光学光刻相关论文
光刻是将集成电路器件的结构图形从掩模转移到硅片或其他半导体基片表面上的工艺过程，是实现高端芯片量产的关键技术。在摩尔定律的......
离轴照明(OAI)作为一种重要的分辨力增强技术(RET),不仅可以提高光刻分辨力,而且对焦深(DOF)也有一定程度的改善。针对特定的掩模......
本文介绍一个数值孔径0.4、视场10×10mm~2可用于1:1分步投影光刻机的镜头的光学设计及其模型实验结果.光学设计在Wynne-Dyson的1:......
离轴照明和衰减型相移掩模作为重要的分辨力增强技术,不仅可以提高光刻的分辨力,同时还可以改善成像焦深,扩大光刻工艺窗口,实现65......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
半导体产业历史上最大的一次转变已经开始了。传统的光学光刻一直都是半导体产业和摩尔定律的核心,但这项技术的统治即将终
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高数值孔径光学光刻中，成像光分布在较大的入射角范围内，传统顶层抗反膜优化方法只对垂直光来减小光刻胶上表面反射率，难以保证光在整......
在高数值孔径光学光刻中，成像光入射角分布在较大范围内，传统的单底层抗反膜不足以控制抗蚀剂一衬底界面反射率（衬底反射率）。考虑照明......
本文讨论了光学光刻中的离轴照明技术.主要从改善光刻分辨率、增大焦深、提高空间像对比度等方面对离轴照明与传统照明作了比较,并......
PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统.当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生......
根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术--M-PEL.初步实验证明,M-pEL技术可在单层厚胶......
介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等.......
相对于其它“后光学”光刻技术，在０．１３μｍ甚至０．１３μｍ以下集成电路制造水平上，光学光刻仍然有强大的吸引力，随着光学光刻极限分辨率的不断提高，当......
光学光刻的生命力仍然在不断延续，即使在０．１３μｍ及０．１３μｍ以下集成电路制造水平上，光学光刻仍然是一个非常重要的修选者，深亚微米不迩光刻工艺技......
阐述了可实现0.1 μm线宽器件加工的几种候选光刻技术,对193 nm(ArF)准分子激光光刻技术作了较为详细的论述,指出其在0.1 μm技术......
底部抗反射涂层(BARCs)和光刻胶已被广泛地用于半导体制造中的光刻加工工艺中.BARCs在光刻中的主要好处就是聚焦/曝光宽容度的改善......
概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以......
讨论了光学光刻技术的各种分辨力增强技术(RETs),根据各类光刻设备的开发进展,探讨了光学光刻技术的加工极限.......
光学光刻在不断发展,促进了集成电路的制造,提高了其制造水平。光学光刻的分辨率在逐步提高,其设备面对着巨大的挑战。本文将对深......
专利是测度企业技术创新能力的一个良好指标。综合运用形态分析法、联合分析法和专利引证分析的混合方法,分析专利的＂技术份额＂指标......
Image quality is one of the most important specifications of optical lithography tool and is affected notably by tempera......
在半导体技术和制造的发展中,半导体加工技术中最为关键的光刻技术和光刻工艺设备,必将发生显著的变化,本文将对光刻技术和光刻设......
非光学下一代光刻技术的缓慢进展和国际半导体技术发展规划(ITRS)的加速,使光学光刻肩负着IC产业的重任,进一步向亚波长图形领域进......
基于部分相干成像和分数傅里叶变换,提出在投影光刻系统中,利用分数域滤波改善光刻图形质量的新方法.理论和模拟分析表明:在曝光成......
纳米压印光刻经学术和行业团体近十年的研究之后，已逐渐开始对半导体行业产生引导作用。简单地讲，纳米压印是把一个1×的模板压......
为了改善对准精度,对100 nm级线宽尺寸建立了掩模硅片自动对准数学模型,应用于同轴离轴混合对准系统的硅片模型、掩模模型以及工件......
成像干涉光刻技术（IIL）具有干涉光刻技术（IL）的高分辨力和光学光刻技术（OL）产生任意形状集成电路特征图形的能力。在IIL中，按掩模图形的不......
由于光波衍射特性,传统光学光刻面临分辨力衍射极限限制,成为传统光学光刻技术发展的原理性障碍.表面等离子体(surface plasmon,SP......
目前,光刻技术仍然是超大规模集成电路制造的主要手段,随着集成电路特征尺寸(CD)的不断缩小,集成电路制造对光刻分辨力的要求也越......
近年来，空间光调制器(SLM)无掩模光刻技术受到微电子及相关领域的广泛关注。SLM作为无掩模光学光刻系统的图形发生器，可便捷、灵活、......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
干涉光刻技术集激光、干涉和衍射光学及光学光刻于一体，是国家自然科学基金资助的微细加工技术和微电子领域的前沿研究课题，对其进行......
随着微电子和信息技术的飞速发展，高密度、高速度、超高频微电子器件不断推陈出新，促使微细加工技术不断向着超精细领域发展，对传统光......
本文主要阐述了光刻技术的发展极限及 193nm、 157nm光学光刻技术和电子束投影光刻 (SCALPEL)、X -射线光刻 (XRL)离子投影光刻 (I......
由于光学分辨率极限的存在，传统的光学光刻技术已经很难满足日益先进的光电子学的微细加工要求，为此需要发展新型的光刻技术。超透镜......
目前，浸没式氟化氩（Argon Fluoride，简称ArF）光刻技术是45nm及以下节点极大规模集成电路制造的主要手段。随着集成电路版图上特征尺寸（C......
简要回顾了光学光刻技术的发展历程,从IC技术节点微细化要求对光刻技术的挑战方面讨论了光学光刻技术的发展趋势及进入32nm技术节......
综述了光学光刻目前的主流技术— 2 48nm曝光技术现状 ,介绍了折射式透镜和反射折射式透镜结构及性能。结合 1 93nm技术的开发 ,比......
深紫外(DUV)光刻机照明系统普遍采用衍射光学元件(DOE)实现光瞳整形。根据光刻机的指标要求,衍射光学元件应具有高衍射效率和高均......
结合对1996年第17届国际光学学会会议的简介，评述了光学光刻和X射线光刻技术的发展概况。对一些相关技术，如激光等离子体X射线源、掩......
Entegris公司介绍了一种新的解决方案,能够精确测量和控制在先进半导体光刻过程中引起污染的挥发性有机化合物。如果不加控制,这些......
简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32nm光刻现状及22nm浸没式光刻技术的进展，指出了光学光刻技术的......
