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Si(110)基板相关论文
Si(110)基板上激光化学气相沉积法外延生长3C-SiC薄膜
立方碳化硅(3C-SiC)作为一种宽带隙半导体材料,具有高热导率、高临界击穿场强、高的电子迁移率,以及化学性能稳定,机械性能好等特性,......
学位
3C-SiC薄膜
Si(110)基板
激光化学气相沉积
界面空洞及消除
外延生长
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