激光化学气相沉积相关论文
针对现有激光化学气相沉积设备在寻找掩膜版缺陷点时存在镜头移动行程长、镜头频繁失焦的问题,采用基于2-opt邻域搜索的蚁群算法来......
激光化学气相沉积技术(LCVD)相较于传统化学气相沉积技术具有低沉积温度、高膜层纯度、高沉积效率等特点,在各类功能薄膜材料制备......
用波长为308 nm XeCl准分子激光辐射光解羰基锰二聚物Mn2(CO)10和羰基钨W(CO)。沉积锰和钨薄膜,研究了实验参量与薄膜特性之间的关......
超导材料自1911年发现至今,已被开发出上百种超导体,材料种类包含了单质、氧化物、合金、有机物等,其超导转变温度也不断提升。第......
钕钡铜氧(NdBCO)超导薄膜因在强磁场下拥有高临界转变温度(T_c)与高临界电流密度(J_c),且其本身的结晶质量与表面稳定性均优于目前......
以大规模集成电路光掩膜版透明缺陷维修为应用背景,以六羰基铬金属羰基配合物为前驱体,采用激光化学气相沉积方法(LCVD)制备了薄膜......
一种激光化学气相沉积金刚石膜的方法，最低沉积温度为250℃，其特征在于选用波长在308nm的XeCl准分子激光作激光源，过程如下：将欲沉积衬......
本文报道用XeCl准分子激光分解W（CO）6气体分子沉积钨膜，面积约2．6cm^2，测量了膜层的厚度，电学性质和光学性质，并用扫描电镜观察了膜层的微......
研究了在W18Cr4V高速钢基体上,用CO2连续激光诱导化学气相沉积TiN薄膜的工艺方法.激光功能600W,在H2、N2、TiCl4反应系统中沉积出T......
第二代高温超导材料YBa2Cu3O7-δ（YBCO）由于具有高的不可逆场、临界温度（TC）及临界电流密度（JC）,从而被广泛地应用于各个领域。目前制备Y......
立方碳化硅（3C-SiC）作为一种宽带隙半导体材料,具有高热导率、高临界击穿场强、高的电子迁移率,以及化学性能稳定,机械性能好等特性,......
An Axisymmetric Numerical Model for Simulating Kinetically—Limited Growth of a Cylindrical Rod in 3D
Laser-induced chemical vapor deposition（LCVD） is an important process for freeform microfabrication of high aspect ratio p......
立方碳化硅（3C-SiC）具有高电子迁移率、高导热率、宽禁带、耐高温、耐腐蚀及合成温度低等优异性能;石墨烯具有超高载流子迁移率及超......
为了对光掩模版亮场缺陷进行修补,采用激光化学气相沉积的方法,利用功率密度为1.3×10^8W/cm^2的355nm紫外激光诱导Cr（CO）6分解,......
采用激光化学气相沉积法在Al2O3基底上以49μm·h-1的沉积速率高速制备了c-轴取向的YBa2Cu3O 7-δ薄膜,其中,激光功率为133 W,......
利用波长为10．6gm的CO2连续激光诱导化学气相沉积的方法，在模具钢基体上沉积TiN类薄膜。采用XRD、OM、SEM、EDS等手段分析薄膜的组织......
研究了激光化学气相沉积的方法在Ｔｉ和Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ基材上沉积了ＴｉＮ，ＴｉＣ，Ｔｉ（Ｃｎ，Ｎｍ）薄膜的工艺方法，并获得了良好膜层的最佳工艺。在低压下用激光化学气相沉积方法制备......
利用波长为10．6mm的CO2连续激光诱导化学气相沉积的方法，在模具钢基体上沉积TiN类薄膜。采用XRD、OM、SEM、EDS等手段分析薄膜的组织......
高温超导体YBa2Cu3O7-x（YBCO）具有优异的电学性能,所以许多科研人员对其产生较大的兴趣。YBCO只有在制成带材以后,才能被使用。当前......
激光化学气相沉积技术是目前掩模版亮场缺陷修复的主要手段，它存在两种不同的作用机理：光热解离原理和光化学解离原理。光热解离原理......
利用激光化学气相沉积(LCVD)方法,以钛金属有机化合物为前驱体,以O2为反应气体,在激光功率PL为0~200W、基板预热温度为400~700℃的......
石墨烯(Graphene,GP)是六方蜂窝状的二维碳原子晶体,结构独特、性质卓越。在石墨烯被发现的短短几年内,其优异的力学、光学、热学......
本讲座介绍了激光化学气相沉积的基本原理,较详细地讲述了制备金属薄膜、金刚石薄膜、类金刚石薄膜、氢化非晶硅薄膜、化合物半导......
