伴随射频集成电路制造技术的进步和互联网产业的发展，便携移动产品市场　　 扩张步伐逐年加快。在美国、欧洲和日本等发达地区，无线......

对90nm pMOSFETs在不同温度及栅压应力下的NBTI效应进行了研究,从而提出了90nm pMOSFETs NBTI退化对时间t、温度T及栅压应力Vg的模......

利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110~170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取......

随着计算机等家用电子产品技术的不断进步和更新换代,我们的生活已经进入了电子时代。同时我们也正经历着一场新的技术革命,而这场......

利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取......

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的设计图形传输到硅片上去,从而为下一步进行刻蚀或者离子......

随着半导体技术的飞速发展,半导体制造技术已经从90nm进入45nm时代,32nm技术也已经开始研发和应用。而铝线从最早半导体芯片一直沿......