90nm相关论文
随着芯片设计进入深亚微米级阶段,电源网格上的IR Drop会降低器件的开关速度和噪声容限,从而引起芯片时序违反,甚至引起功能失效.......
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伴随射频集成电路制造技术的进步和互联网产业的发展，便携移动产品市场
扩张步伐逐年加快。在美国、欧洲和日本等发达地区，无线......
德州仪器（TI)向业界推介首个使用90nm工艺技术制造的蓝牙无线网络单芯片解决方案。通过90nm工艺与数字射频处理器（Digital RF Proces......
建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nm SRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子......
对90nm pMOSFETs在不同温度及栅压应力下的NBTI效应进行了研究,从而提出了90nm pMOSFETs NBTI退化对时间t、温度T及栅压应力Vg的模......
利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110~170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取......
随着计算机等家用电子产品技术的不断进步和更新换代,我们的生活已经进入了电子时代。同时我们也正经历着一场新的技术革命,而这场......
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光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的设计图形传输到硅片上去,从而为下一步进行刻蚀或者离子......
随着半导体技术的飞速发展,半导体制造技术已经从90nm进入45nm时代,32nm技术也已经开始研发和应用。而铝线从最早半导体芯片一直沿......
