单片微波集成电路(MMIC)相关论文
介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制.该放大器采用5级共源......
研制了一款基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的Ka波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC).MMIC采用三级级联放大结构......
用快速傅立叶变换法(FFT)和磁镜像法对单片微波集成电路(MMIC)的薄膜平面射频集成电感器进行了微磁学分析.根据模拟结果,对射频集......
基于推推振荡器结构设计了一种低相位噪声的毫米波压控振荡器,相比传统采用直接振荡和倍频实现的振荡器,该振荡器具有体积小、相位......
以50μm厚的SiC为衬底,基于T型栅GaN HEMT工艺技术,设计并制作了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMI......
期刊
基于GaNHEMT工艺,研制了一款W波段功率放大器MMIC.利用Lange耦合器将3个饱和输出功率大于1 W的单元电路进行三路片上功率合成来实......
混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体......
基于0.15 μm GaAs pin二极管和GaAs PHEMT工艺,设计并实现了一款5～13 GHz限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC).该MMIC中......
研制了一款60～90 GHz 功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC 采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出......
基于GaAs单片微波集成电路(MMIC)工艺设计并制备了一款宽带射频前端多功能电路芯片,其包含功率放大器、限幅低噪声放大器(LNA)和收......
基于0.25 μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集......
基于SiC衬底0.25 pm GaN HEMT工艺,设计实现了一款C波段、高效率和高线性的单片微波集成电路(MMIC)功率放大器.通过优化电路匹配结......
InP基HEMT器件具有高截止频率、高增益、高热导率和低噪声等特点,其在毫米波高频段电路系统中的应用受到了越来越广泛的关注。其中......
利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器。将振荡三极管、偏置电路......
利用改进的小信号模型对采用100 nm InAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器......
利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110~170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取......
设计了一种2~35 GHz单片集成功率检测电路。采用Ga As增强/耗尽(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制出将功率检波器与电......
基于Ga As肖特基二极管工艺,研制了一款无源毫米波二倍频器单片微波集成电路(MMIC)。该电路的拓扑结构包含并联二极管对,输入巴伦......
基于GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺设计了一款输出频率为8~10 GHz的X波段四倍频器单片微波集成电路(MMIC)。采用两级对管平衡倍......
采用单片微波集成电路(MMIC)芯片技术和多芯片组件(MCM)微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收(T/R)组件。组件由环形器、限......
根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路......
基于Ga As肖特基二极管工艺,设计了一款输出频率为8~16GHz的无源二倍频单片微波集成电路(MMIC)。该倍频器的核心是四只性能一致的......
基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波......
在介绍倍频器工作原理、各种实现方法及其优缺点的基础上,阐明了采用MMIC（单片微波集成电路）工艺实现高性能、高可靠性、小型化毫米......
基于标准GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一个输出频率在V波段的有源二倍频器单片微波集成电路(MMIC),实现了高输出......
综述了近几年微波、毫米波氮化镓高电子迁移率晶体管(Ga N HEMT)与单片微波集成电路(MMIC)在高效率、宽频带、高功率和先进热管理......
分析了单片数字移相器的移相原理,详细介绍了每一个基本移相位的设计方法及结构,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺技术......
随着科技的进步,通信系统不断更新换代,通信产品也随之不断的向小型化、低功耗、高可靠性等方向发展,而单片微波集成电路(MMIC)具......
基于WIN 0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并制备了一款X波段4 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器。22.5°......
随着微波电路和半导体材料的发展,单片微波集成电路(MMIC)技术日益成熟。MMIC凭借其尺寸小、质量轻、可靠性高、抗干扰能力强等一......
基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片......
静电放电(ESD)损伤会降低半导体器件和集成电路的可靠性并导致其性能退化。针对一款国产2-32型多模计数器的失效现象,通过分析该计......
InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相......
利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取......
本文描述研究项目的工作原理及组成框图,论述了各单元电路的设计方法,给出了MMIC电路的拓扑结果及测试结果,分析了系统集成工艺、......
GaN基微波功率放大器工作电压高、输出功率高、频带宽、损耗小,应用非常广泛。本文在大量深入调研基础上,总结了GaN基功率放大器的......
研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA)。Doherty功率放大器......
介绍基于GaAs变容二极管工艺的电调滤波器芯片的研究与设计,包括变容材料制备、二极管模型建立以及电路设计。设计数款电调滤波器,......
频率综合器的性能对通信系统有极大的影响，本文简要介绍了频率综合器的基本原理，系统全面地综述了毫米波频率综合器的国内外研究进展......
针对砷化镓（GaAs）衬底上螺旋电感提出了一种改进形式的集总参数等效电路模型，该等效电路模型能很好地表征螺旋电感的高频效应。同时，应......
采用Si C衬底0.25μm Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款X波段Ga N单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)......
