光刻相关论文
介绍了光刻胶涂胶过程中对涂胶厚度均匀性的影响因素及发生均匀性问题的成因。对光刻工艺和光刻胶进行概述，通过对光刻工艺和光刻胶......
现有主流光刻技术与设备变得越来越复杂的原因之一在于其仍然囿于线性光学光刻范畴，未能突破光学衍射极限，是衍射极限附近的光刻技术......
准分子激光光源在光刻、工业制造、医疗和科研领域都有广泛的应用，特别是其波长、线宽、能量与剂量等指标在光刻领域有很大的优势，可......
根据摩尔定律，半导体芯片单位面积上的晶体管数量每18个月翻一番，当前量产先工艺节点已经演进到3nm，特征尺寸不断缩小，图案越发复杂，芯......
微机电系统（MEMS,Micro-Electro-Mechanical System）是一种在半导体制造技术的基础上发展起来的先进的制造技术,可以在几毫米甚至更......
光刻工艺随集成电路的发展成为核心环节，被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠。而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶，每一代光刻......
设计了两种具有不同参数的光刻掩膜版，利用光刻技术制备了两种微米级双层复合结构。研究了曝光能量对凹形缺口深度的影响，同时采用时......
本文提出了一种基于空间像的极紫外光刻掩模相位型缺陷检测方法，用于检测多层膜相位型缺陷的类型、位置和表面形貌。缺陷的类型、位......
在高分辨光学光刻技术中,光瞳整形技术针对不同的掩模图形产生特定的光瞳光强分布模式,从而实现分辨力增强,获得更好的成像性能。......
极紫外（EUV）光刻机是推动集成电路向先进技术节点发展的核心装备，已应用于7 nm及以下技术节点芯片的量产。高成像质量是EUV光刻机应用......
极紫外（EUV）光刻是目前最先进的光刻技术，是芯片向更高集成度发展的重要保障。高成像质量是确保EUV光刻机性能指标的前提，而反射式三维......
二硫化钼（MoS2）是二维材料家族的典型代表,由于其内部结构与石墨烯相似,不仅保留了石墨烯优良的电、光、机械性能。同时其具有1.2～1.8......
最早的显微镜可以追溯到16世纪末期,由一位荷兰的眼镜工匠制造而成。自其出世以来,人们便从未放弃过对显微镜技术的改进,通过不断......
二维范德华结构过渡金属硫族化物作为一种新兴材料,物理性能具有厚度依赖性并且可以结合任意不同二维层状材料形成异质结,有望在集......
光刻技术是半导体集成电路技术发展的主要推动技术，其不断提高的分辨率与图形复制精度成功地将集成电路制造线宽从40多年前的2～3μm......
极紫外（EUV）光刻技术是半导体制造业中应用的最先进光刻技术，与之配套的光刻胶近年来也有了长足发展。本文结合EUV光刻技术面临的新问......
金属性过渡金属硫族化合物（MTMDCs）因其优异性能而获得广泛关注。作为金属性过渡金属硫族化合物（MTMDCs）的一员,二硫化钽（TaS2）是一种典......
在针对芯片的“卡脖子”技术中，极紫外（EUV）光刻是最重要的一环。EUV光刻技术已经被广泛应用于最先进工艺节点的集成电路（IC）芯片制造之......
生物电信号是生物体最基本的生理信号之一,监测生物电信号可以对多种生理性疾病进行诊断和预防。采集生物电信号需要使用测量设备,......
早期真空电子器件的广泛应用,得益于其可以实现在高频段、大功率条件下工作的显著特性,但器件集成化的困难阻碍了它的进一步发展。......
设计了一种在近红外太赫兹波段产生电磁响应的超材料器件,该器件单元结构是由全对称的金属四开口谐振环与本征硅衬底组成.通过仿真......
退偏器在深紫外光刻机照明系统中具有重要作用.尽管相关的设计、制造、性能评估已有一些报道,但是,相应的检测手段大多工作在可见......
设计了一种交错梳齿型(SVC)静电驱动MEMS微镜,首先在底层硅片上通过刻蚀预留出微镜活动空间,并进行固定梳齿组刻蚀,然后再在上面键......
水凝胶是由亲水性三维聚合物网络与水组成的一种软材料,在智能机器人、电子皮肤传感器、创伤护理、水处理以及催化等领域具有广泛......
透明电极是光电器件的关键组成部分,其广泛应用于信息显示、固体照明、光电转换等领域。近年来,以铜为基础制备的各种结构透明电极......
本文提出了一种基于滑动芯片的微流控制备微颗粒方法,通过快速、方便地加载-滑动-固化操作,即可生成高度定制的微颗粒,并不需要泵......
光刻是集成电路制造工艺中一道关键的工序,它是利用光化学反应机理,把制造在掩膜版上的图形转移到硅衬底上的过程。光刻决定了芯片......
石墨烯是一种由碳原子紧密堆积排列的二维单层材料。石墨烯具有优异的光、电、力等特性,被认为是在未来具有颠覆性的材料。单层到......
TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一.研究了剥离工艺(lift-off)用于TiNi薄膜图形化的可行性,并首次利用溅......
在二元光学衍射微透镜的制作工艺中,光刻胶的行为和特性对衬底的最终图形有着极为重要的作用.光刻和刻蚀两道工序都要求实际图形与......
介绍了色分离光栅的设计原理,对CSG的制作工艺进行了研究.用套刻的工艺方法,以30°的离子束入射角,能量为450eV、束流密度为80mA/c......
该文详细介绍了二元光学元件制作的光刻技术和一些新的制作工艺，包括薄膜沉积法、激光束或电子束直接写入法和准分子激光加工法。针......
介绍了基于UV-LIGA技术制备微型柔性镍接触探针的工艺过程，分析了制备的技术关键，试验优选了关键制备环节的工艺参数。试验结果表明：......
微光机电系统通常采用紫外或X射线光刻技术制作,不同于一般的集成电路加工,其所用光刻胶之厚度达数十微米以上,因此有必要对用于微......
提出了一种用于MEMS工艺的DRT金属剥离新技术.采用双层普通正性光刻胶,两次曝光,再用甲苯处理,使光刻胶断面上宽下窄,表面呈倒角悬......
我们利用真空磁过滤弧沉积(Filtered Arc Deposition,FAD)的方法成功地预先生长了金属层的玻璃基底上制备了类金刚石薄膜.通过离子......
本文介绍了用UV-LIGA技术以及采用硅胶进行封装制作的微拉伐尔喷管,实验证明这种方法制作的微拉伐尔喷管能够满足冷态微拉伐尔喷管......
介绍了RPP的制作方法,对其工艺进行了研究.在φ270mm的石英基片上镀铬,甩胶后进行紫外曝光得到光刻胶掩模,然后用硫酸铈和硝酸的混......
本文立足于同常规CMOS工艺兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的工艺解决方案,包括了LDMOS、NMOS、电感......
本文介绍了光学光刻法制作反射式金属光栅工艺试验过程,通过试验得出了制作反射式金属光栅可行的工艺方案,并制作出了亮条纹为金膜......
该文给出了将IC工艺与LIGA工艺相结合，在硅基材料上以镍金属为结构材料制作高性能微加速度传感器的研究结果。由于采用了金属材料，器......
首次通过结合反应性相分离和光刻技术,采用商业的交联剂和无规共聚物为原料,发展了一套非常简单、有效制备同时具有微米、纳米复合......
本文对毫米波混合集成电路制作关键工艺及主要技术难点进行了探讨,得出特种工艺在特定条件下一些比较成功的工艺制作方法和经验,适......
本报告将讨论我们课题组最近在用DNA纳米结构作为模版进行无机材料合成的进展［1,2］。我们发现DNA可以通过控制水的吸附来调节表面反......
中心遮拦对157nm光刻性能的影响值得研究。本文通过光刻仿真软件PROLITH 中的向量衍射模型对影响进行定性分析。仿真试验主要针对......
