采用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)设备生长并制作了 1 5 5 μmAlGaInAs InP偏振无关半导体光放大器 ,有源区为 3周期的张应变......

采用低压金属有机气相外延设备生长并制作了1550nm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器,有源区为3周期的张应变量子阱结构,应变量......

利用AlGaInAs-InP应变多量子阱（MQW）材料导带偏移量大的特点,制作了基于AlGaInAs-InP材料的无制冷脊波导分布反馈式（DFB）激光器.为提高......