【摘 要】
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利用AlGaInAs-InP应变多量子阱（MQW）材料导带偏移量大的特点,制作了基于AlGaInAs-InP材料的无制冷脊波导分布反馈式（DFB）激光器.为提高器件调制速度,制作了2 μm宽的脊波导结构,
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利用AlGaInAs-InP应变多量子阱（MQW）材料导带偏移量大的特点,制作了基于AlGaInAs-InP材料的无制冷脊波导分布反馈式（DFB）激光器.为提高器件调制速度,制作了2 μm宽的脊波导结构,并在脊波导两侧填充1.5 μm厚的SiO2层,从而有效降低器件寄生电容.室温条件下,DFB激光器典型阈值为15 mA,特征温度达88 K,边模抑制比大于50 dB,3 dB小信号调制响应带宽超过15 GHz.
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